4奈米有麻煩？高通用三星製程又出包 換臺積電結果曝光

高通。（圖／shutterstock）

臺灣IC設計大廠聯發科成爲手機SoC市佔率龍頭已經超過1年時間，但在5G市場上仍由美國半導體巨頭高通主導，聯發科推出發佈採用臺積電4奈米制程的5G旗艦機晶片天璣9000，與高通採用三星4奈米制程的Snapdragon 8 Gen 1一較高下。但最新評測結果指出，搭載Snapdragon 8 Gen 1的終端產品再度出現過熱問題。

先前採用三星5奈米制程的高通Snapdragon 888就出現過熱問題，這也成爲外界更關注Snapdragon 8 Gen 1在能耗方面表現，聯發科預計在明年第1季開始會有終端產品搭載，符合過去聯發科產品導入的時程；至於高通，原本市場預期將由小米的旗艦機種搶首波搭載，這次卻被Moto edge X30搶先推出搭載。

不過，由於天璣9000仍未支援5G毫米波(mmWave)，加上在GPU表現上，目前從外界透露出來的跑分表現也超越天璣9000。從Geekbench 數據顯示，Snapdragon 8 Gen 1單核表現爲1,234、多核爲3,825，相比上一代旗艦級處理器Snapdragon 888 在單核有 8 ~ 10%提升，但在多核表現相差不遠，表現甚至不及蘋果上一代處理器A14晶片，單核表現也不及2年前的A13晶片，顯示高通這次把主力擺在GPU效能表現上。

大陸科技部落客「數碼閒聊站」指出，Snapdragon 8 Gen 1在採用三星4奈米制程版本測試後，出現功耗偏高情況，甚至採用臺積電4奈米制程測試，雖功耗有降低，但表現並不顯著，認爲這並非是製程採用哪一家晶圓代工廠的問題。甚至聯發科的天璣9000，也有功耗偏高的問題，認爲2022年安卓陣營手機都將面臨同樣問題。

此外，大陸知名科技自媒體「極客灣」也針對Snapdragon 8 Gen 1在CPU 及 GPU評測上，功耗竟比前代的S888還要高，相比蘋果今年iPhone 13系列搭載的A15晶片，CPU功耗11.1W，CPU 多核效能高出29%，卻僅有8.6W功耗。雖然GPU圖像效能表現上，Snapdragon 8 Gen 1與A15表現相當接近，但功耗卻高達11.2W，iPhone 13 版本的 A15晶片表現僅6.5W。