ASML不賣DUV 陸晶片死路一條？美1漏洞讓北京大爆殺

傳艾司摩爾同意不出售生產成熟製程晶片的DUV設備給大陸。（示意圖/達志影像/shutterstock）

外媒日前報導，荷蘭、日本加入對大陸半導體設備出口管制行列，美日荷三國已達成共識，傳出荷廠艾司摩爾（ASML）同意不出售生產成熟製程晶片的深紫外光（DUV）設備給大陸，但產業分析師認爲，若目標是爲了打壓大陸先進技術能力，其中還存在不少漏洞。

集微網報導，知名產業分析師Dylan Patel表示，如果是限制大陸取得14奈米、7奈米或5奈米先進製程技術，那麼禁令必須達到能夠處理這些節點功能的不同級別工具。

如臺積電16奈米和12奈米技術，最小金屬間距爲64奈米；臺積電7奈米技術最小金屬間距爲40奈米；5奈米制程技術最小金屬間距爲28奈米，出口禁令應基於這些參數制定適用標準。

Patel認爲，透過自對準四重圖案（SAQP）等技術和DUV曝光機，中芯國際已經跨入7奈米制程，而且這並不是經濟上可實現的極限，臺積電N5使用的28奈米最小金屬間距，可以在沒有極紫外光（EUV）設備的情況下製造。

Patel說，若不讓大陸14奈米晶片大規模量產，必須阻止所有可以實現製程上最小金屬間距64奈米工具，理論上，連KrF（光阻劑）曝光機業者也需要納入限制，SAQP搭配KrF曝光機，儘管經濟效益不是最優，不過足以應對大陸境內緊急需求。

報導指出，Patel推算，不考慮經濟成本，只靠現有DUV機臺，中芯國際理論上就可實現每月超過10萬片晶圓的7奈米代工產能，高於三星和英特爾7奈米（含）以下先進製程產能總和。若華虹、華力、長江存儲、長鑫存儲等目前DUV設備全被中芯調用，其打造出7奈米產能將甚至超過臺積電。

此外，Patel認爲，目前光阻劑和曝光機關鍵零組件並無出口限制，也是一個重大的漏洞，美國要壓制大陸先進製程能力，必須阻止這些工具的流通，但關鍵供應商很容易被上海微電子等本土曝光機商所觸及。