《半導體》IET-KY：晶片法案補助412萬美元已生效 川普2.0估影響有限

由於剛當選美國總統的川普先前對於美國晶片法案釋出不友善態度，令半導體廠擔憂晶片法案是否生變？法人關心是否對已提出申請的IET-KY造成影響，對此，高永中表示，川普當選對晶片法案可能會有影響，但普遍認爲對大廠影響比較大，不過，晶片法案有一部分是用退稅方式換算，這是川普最愛的，預期對我們公司影響有限。

目前IET-KY的德州晶片法案補助412萬美元已正式簽約生效，高永中表示，新廠擴建計劃因配合晶片法案與公司策略規劃而進度放緩，未來德州晶片法案412萬美元補助款將用於廠房增建，新廠主要包括磊晶片生產區和機臺硬體設備組建區；目前多種型號MBE機臺銷售報價中，新廠增建工程設計接近完成(包括12個MBE機臺基地)，將於2025年1月破土動工，建廠投入資金將依照德州晶片法案補助按季請款。

至於IET-KY申請的美國聯邦晶片法案補助亦已進入實質審查(Due Diligence)階段，目前進度順利，可望獲得補助覈准。

IET-KY 2024年前3季營業毛利爲6026萬8000元，合併毛利率爲12.25%，稅後虧損爲1.04億元，每股淨損爲2.85元；累計今年前10月合併營收爲5.49億元，與去年同期約持平；步入第4季，IET-KY表示，磷化銦客戶訂單涌現、砷化鎵訂單也大幅上升，預期年末磊晶產品表現增溫，帶動第4季營收重回成長趨勢。

IET-KY在MBE機臺及相關硬體構件技術已深耕超過20年，具備與MBE老牌原廠並駕齊驅的品質與科技累積，加上自行開發的MBE長晶操控軟體，出售訂製機臺或零組件的營收將是未來公司另一成長動能，也因爲機臺組件產品毛利率高，有利強化整體產品組合。公司也因自制機臺與客製化硬體開發的超卓能力，在產能擴充上不易受制於機臺供應商，對於未來產業競爭具主要優勢。

就各產品來看，銻化鎵紅外磊晶片及國防合約訂單及產能穩定，已有更多種類磊晶產品通過大廠認證，平均客戶訂單數量與總價繼續增加，本年度此類產品銷售成長快速，可望創新高；在氮化鎵部分，氮化鎵二次長晶營收持續成長，MBE N+氮化鎵磊晶片可生長於 SiC, Si, GaN或藍寶石晶片上，目前與客戶合作順利，將持續爭取量產及全機服務訂單。

在磷化銦方面，目前持續回溫，第4季已接獲HBT與PIN之量產訂單，受AI/Data center需求帶動，高速IN/HBT/laser/EAM/VCSEL的需求將大幅成長，公司將維持產能，優化生產排序，於年底前衝高產出帶動營收；至於砷化鎵則收到大客戶年底pHEMT國防應用急單，砷化鎵機臺產能滿載，公司將確保生產品質與效率，以應客戶收貨時程。

展望2025年，IET-KY表示，四大產品線皆有成長動能，磷化銦方面，雷射、調幅器、接受器在光通訊領域中均是不可或缺的產品，近兩年AI浪潮席捲而來，對於傳輸要求的規格提高，公司今年也配合客戶在磷化銦高速高頻元件量產的規劃與驗證投入研發，明年可望開花結果；砷化鎵產品如面射型雷射(VCSEL)可應用在多個領域上，需求持續增加；氮化鎵在二次生長方面，客戶需求亦與日俱增。銻化鎵在國防方面的訂單也是穩健成長，勝過往年。磊晶業務，加上機臺與硬體構件營收，並佐以德州晶片法案與聯邦晶片法案補助款，公司2025年營運可望拾級而上。