《半導體》Q1營運谷底 華邦電衝8個月高價

華邦電受產業短期逆風，三大法人週一聯手賣超，外資更已連2日賣超9585張，不過週二股價震盪，盤中一度翻紅，衝上24.1元之去年6月22日以來的8個月新高價，2023年累積漲幅達22.95%。

利基型DRAM和NOR Flash庫存修正，價量皆下滑，華邦電去年第四季合併營收爲142.24億元，季減13.19%，華邦電DRAM在去年下半年轉差，去年第四季DRAM營收佔全公司營收比重從去年第三季的40%減至35%，其中25nm佔DRAM營收56%。去年第四季合併毛利率下滑至37.46%，減少8.09個百分點，主要來自記憶體減產30%，致記憶體的毛利率從去年第三季的48%大幅下滑至33%。去年第四季合併稅後EPS爲0.14元。華邦電2022年稅後EPS達3.25元。

雖然景氣不佳，但華邦電計劃往更高階製程轉進，且每一個產品線要在一線客戶的滲透率拉高，有助產品單價以及獲利表現。DRAM產品部份，25S nm技術爲2023年的重點，Flash則是轉爲46nm，持續優化產品組合與客戶組成，提升毛利率。

產業長期來看，穿載裝置、網通WiFi6/7、物聯網、車用、遠端應用、工業加速數位轉型及美國啓動基建，都將搭載更多容量的利基型DRAM及NOR/NAND Flash。惟在各記憶體廠減產下，報價都尚未止穩，短期虧損壓力大。

華邦電2022年資本支出408億元，年增339.09%，2022年高雄廠機臺拉入驗證後，使資本支出增加較明顯。華邦電高雄新廠去年1月開始裝機，導入25S nm製程，去年第四季小量投片，設計月產能10.5K片。2023年資本支出預估爲121億元，年減70.34%，大部分用於高雄廠建廠及提升製程品質、新制程研發等支出。

華邦電高雄路竹新廠去年第四季開始投片，設備產能建置每月10.5K片，採用25S nm製程生產DRAM，部份產能則用於進行20nm DRAM製程研發，25S nm目前成本較高，因爲設備和廠房都是新的，稼動率不佳，毛利率恐將轉負。