碇基報喜 雙面散熱GaN通過測試

碇基在氮化鎵功率半導體領域擁有15年以上的專業經驗，全球已累積超過200件高價值專利。圖／擷自網路

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全球電源管理領導廠商臺達子公司碇基半導體（Ancora Semiconductor Inc.），宣佈最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體，通過一系列嚴格的DMTBF（Demonstrated Mean Time Between Failures）測試。

此一測試，已驗證碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020，其專利雙面散熱結構能有效地分離電氣和熱，進一步解決高功率產品的熱導問題，在20萬小時的長時間運作下，仍能維持優越效能，突顯其產品的高信賴性與可靠度。

碇基的產品，已應用於臺達和威剛合作開發的鈦金級電源供應器XPG FUSION 1600W上。這次聯手臺達及威剛，進一步滿足了客戶對高效能電源的需求，提供更可靠的解決方案。

碇基總經理邢泰剛博士表示，寬能隙半導體GaN元件的應用，爲電力電子帶來了革命性的突破。運用GaN優異的物理特性，能夠實現高效能和小型化。除了此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020，碇基半導體將持續拓展產品線，提供更多樣化的氮化鎵元件，以滿足不同的設計需求。

臺達電源及系統事業羣總經理陳盈源指出，DMTBF測試結果證明了碇基產品的可靠性和穩定性，可實現更高的功率密度和更強大的節能效果。期待碇基推出更多產品，持續加速雙邊在高功率電源供應器的合作，爲全球客戶提供更優質的產品和服務。

碇基這款產品，易於實現頂部散熱應用，同時具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。

此外，特殊的封裝結構可減少寄生電感，提高電源產品的效率，在高效能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。

此係列產品各項表現，更能滿足於伺服器、AI人工智慧、高效能運算、醫療、網通等先進應用。碇基在氮化鎵功率半導體領域擁有15年以上的專業經驗，全球已累積超過200件高價值專利。

多年來，與臺積電、羅姆半導體（ROHM Co., Ltd）等業界領導公司緊密的合作，致力於爲客戶提供優質的寬能隙半導體解決方案。