高通公司申請封裝端子晶體管專利，提升晶體管性能

金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知識產權信息顯示，高通股份有限公司申請一項名爲“封裝端子晶體管“，公開號 CN202380016690.7，申請日期爲 2023 年 2 月。

專利摘要顯示，管芯包括：鰭，該鰭在第一方向上延伸；柵極，該柵極形成於該鰭上方並在垂直於該第一方向的第二方向上延伸；第一源極/漏極接觸層，該第一源極/漏極接觸層形成於該鰭上方並在該第二方向上延伸；和第二源極/漏極接觸層，該第二源極/漏極接觸層形成於該鰭上方並在該第二方向上延伸，其中該第一源極/漏極接觸層和該第二源極/漏極接觸層位於該柵極的相對側。該管芯還包括：第一源極/漏極金屬層，該第一源極/漏極金屬層電耦合到該第一源極/漏極接觸層；和第二源極/漏極金屬層，該第二源極/漏極金屬層電耦合到該第二源極/漏極接觸層，其中該第一源極/漏極金屬層和該第二源極/漏極金屬層不與該鰭中的一個或多個鰭重疊。

本文源自：金融界

作者：情報員