鴻海攜手SEMICON 探索新世代半導體應用 聚焦矽光子

鴻海研究院攜手SEMICON Taiwan舉辦「NExT Forum」，探索新世代半導體應用、聚焦矽光子與車用電子技術。圖／鴻海提供

鴻海（2317）30日宣佈，旗下鴻海研究院與SEMICON Taiwan再次攜手合作，將於9月4日在南港展覽館1館，共同舉辦「功率暨光電半導體論壇／NExT Forum」，匯聚半導體產業巨擘，探討未來多元應用的技術進展與市場趨勢。

本屆論壇主題爲「Driving the Future: Technical Advancements and Market Trends in Adopting RF, Power, Optical and Diverse Applications」，特別邀請博通（Broadcom）、英飛凌（Infineon）、思佳訊（Skyworks）、德州儀器（Texas Instruments）等業界翹楚，深入剖析新世代半導體應用、矽光子技術和車用電子等新興領域的最新發展。

來自權威半導體市場研究機構Yole Development （Yole）的資深分析師將帶來半導體技術趨勢洞察，開創矽光新紀元。與會者將有機會深入瞭解新世代半導體應用，把握技術前沿脈動，共同深耕半導體產業的未來藍圖。

作爲功率暨光電半導體論壇協辦單位，鴻海研究院半導體研究所在相關領域過去短短三年內取得不少卓越成績，發表逾145篇高品質學術論文，同時提交30餘項專利申請。研究重點聚焦於新世代化合物半導體，致力於解決鴻海科技集團未來三至七年的關鍵技術挑戰。這些成果不僅展現半導體研究所的創新實力，更爲鴻海在化合物半導體領域奠定堅實的技術根基，爲集團的長遠發展提供強大的技術支撐。

在前瞻技術開發領域，鴻海研究院半導體研究所與陽明交通大學持續深化合作，雙方已於ISPSD（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）上發表兩篇關於碳化矽元件應用的論文；於Nano Letters發表一篇關於新穎深度感測與臉部識別系統的論文；於Materials Today Advances發表了一篇關於第四代半導體氧化鎵 （Ga2O3）的論文；於IEEE Transactions on Power Electronics （IEEE TPEL）發表一篇用於微型化高效能先進光達光源模組所需的雷射驅動電路論文。

預計今年下半年，研究院還將在ICSCRM（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）及IEEE TED（Transactions on Electron Devices）和EDL（Electron Device Letters）期刊上發表更多相關研究，推動碳化矽元件的進展。

在產業應用方面，鴻海研究院半導體研究所攜手陽明交通大學以及鴻揚半導體，共同開發新制程和元件。目前，已掌握1700V碳化矽元件的關鍵技術，並以超過90%的良率進行驗證，其導通電阻已達國際水準，適用於電動車和綠色能源領域。

鴻海科技集團持續不斷髮表技術成果，展現科研創新實力外，更藉由協辦NExT Forum建立一個技術對話平臺，邀請業界翹楚共同參與討論關鍵技術，引領未來的技術發展。今年的功率與光電半導體論壇中，也將邀請到鴻海研究院的諮詢委員張懋中教授開場演說；同時鴻海研究院半導體研究所郭浩中所長也將在論壇中，分享研究院最新成果，併爲當天論壇總結未來產業的技術發展方向。

展望未來，鴻海研究院的研究團隊將繼續攻克關鍵技術難題，並秉持着劉揚偉董事長所提出的「分享 合作 共榮」的理念，希望藉由研究院所展現的學術能量，在NExT Forum論壇上吸引更多的專家學者與鴻海科技集團攜手合作，爲產業發展提供新動力。