輝達明年推新AI晶片 加速CoWoS封裝需求

AI晶片大廠輝達（Nvidia）。(圖/ 路透社)

人工智慧（AI）晶片帶動先進封裝需求，市場預期AI晶片大廠輝達（Nvidia）明年將推出新一代繪圖晶片架構，加速CoWoS封裝需求，臺灣，韓國、美國、日本、甚至中國等半導體大廠，積極佈局2.5D先進封裝。

AI晶片帶動先進封裝需求，加速AI晶片效能，CoWoS先進封裝扮演關鍵角色，不過CoWoS產能仍短缺，影響包括輝達在內的大廠AI晶片出貨進度。

天風國際證券分析師郭明𫓹預期，先進封裝CoWoS供應在第4季可顯著改善，有利未來生產能見度。美系外資法人表示，隨着CoWoS產能擴充，輝達AI晶片出貨量看增，這也反向帶動CoWoS產能需求成長。

外資評估，輝達H100繪圖晶片（GPU）模組第4季供應量可到80萬至90萬個，較第3季約50萬個增加，預估明年第1季供應量可到100萬個，主要是CoWoS產能持續提升。

至於CoWoS產能配置，外資法人評估，輝達可從臺積電取得5000至6000片CoWoS晶圓產量，也將從後段專業委外封測代工（OSAT）廠取得2000至3000片CoWoS產量。

市場預期，輝達明年將推出新一代B100繪圖晶片架構，外資和本土投顧評估，B100架構可能採用臺積電的4奈米制程，推估採用結合2顆GPU晶粒和8顆高頻寬記憶體（HBM），因此也將帶動CoWoS先進封裝需求。

本土期貨法人分析，CoWoS先進封裝主要有3種技術架構，其中矽中介層（CoWoS-S）封裝是目前主流，包括輝達H100晶片和超微（AMD）MI300晶片均採用CoWoS-S封裝，效能佳不過成本較高。

至於導入重佈線層（RDL）的有機中介層（CoWoS-R）封裝可降低成本，另外CoWoS-L封裝在矽中介層加進主動元件LSI層提升晶片設計及封裝彈性，可支援更多顆高頻寬記憶體堆疊，預期明年CoWoS-R與CoWoS-L封裝應用將明顯增加。

臺積電已卡位CoWoS先進封裝3種技術架構，後段封測廠日月光半導體也佈局扇出型FOCoS-Bridge（Fan-Out-Chip-on-Substrate-Bridge）封裝技術，並推出跨平臺整合的先進封裝設計平臺工具。

亞系外資和本土投顧指出，包括英特爾（Intel）、韓國三星（Samsung）、艾克爾（Amkor）、聯電、中國江蘇長電（、通富微電（002156.SZ）等，也佈局2.5D先進封裝，此外，日本索尼（Sony）、力成、美國德州儀器（TI）、韓國SK海力士（SK Hynix）等也急起直追。