金士頓NV3 1TB固態硬盤開箱試玩：有想法的固件設定

對於大多數老DIY玩家而言，當他們看到固態硬盤產品的主控和顆粒大概就猜到個大概，這很大程度歸根於市場同質化的問題上，然而對於有技術和想法的牌子來說，同樣的配方卻能做出更多有想法的產品，最近管家入手的金士頓NV3 1TB就是一個好例子，讓我們來看看它的實際表現吧~

開箱部分

作爲金士頓NV系列的最新型號，本次入手的金士頓NV3 1TB（下文簡稱爲“NV3 1TB”）採用儲存卡產品中常見的一次包裝，減少了零售商二次包裝再銷售問題，包裝風格使用了金士頓傳統的紅白配色風格，從包裝信息可以看到，NV3系列具備6000MB/s順序讀取速度和3年有限保固。

包裝正面

NV3系列

本次入手的爲1TB容量

金士頓LOGO

3年有限保固

包裝背面

各種認證信息

免費技術支持服務

沒有附件的啦

和大多數M.2固態硬盤產品一樣，NV3 1TB除了固態硬盤本體外並沒有其他附件，而箱說部分則印刷在一次性包裝上，考慮到本身屬於配件產品範疇，確實可以做到玩家可以到手即用。

產品細節

和之前NV1 NV2一樣，NV3 1TB使用單面上料+亮面藍色PCB設計，規格尺寸爲標準的2280，PCB厚度較爲標準，不薄也不厚，散熱兼容性上比雙面顆粒好；固態硬盤正面包含主控一枚和兩顆3D NAND閃存顆粒，銘牌貼紙覆蓋在正上方，考慮到產品保修問題，不建議一般用戶撕掉。

固態硬盤本體

支持X4的M KEY口

PCB背面特寫

和之前NV1、NV2情況類似，雖然NV3 1TB在同類產品中發熱並不算大，但是本身作爲性能較高的NVMe固態硬盤會存在相對較高的發熱，管家的建議是使用主板自帶M.2散熱模塊或者選購第三方M.2固態硬盤散熱器，通過改善散熱以確保固態硬盤長期穩定工作。

各種認證信息一覽

撕掉貼紙~

我手中的這個NV3 1TB，主控部分是我們熟悉的羣聯PS5027-E27，這是一款支持PCIe4.0x4+NVME 2.0協議的固態硬盤，可搭配TLC、QLC顆粒組建成品方案，顆粒最大速率支持3600MT/s；在NV3 1TB上，產品標稱順序讀寫分別爲6000MB/s和4000MB/s，參數上相對保守。

羣聯PS5027-E27主控

值得一提的是，雖然採用了羣聯E27主控，但在供電管理電路上使用了自己獨家設計，並沒有使用各家常見的羣聯配套PMIC方案，這在其他廠商中比較少見的。

E27基本介紹

E27主控具體資料一覽

在顆粒方面，NV3 1TB採用金士頓自封的東芝162層BiCS6 TLC顆粒，顆粒編號爲FB51208UCT134；金士頓爲NV3 1TB提供320TBW寫入上限和3年有限保固服務，作爲一款主流定位的固態硬盤產品來說，可靠性還算不錯。

金士頓自封顆粒FB51208UCT134

PCB末端包含各種信息

基準性能測試

測試平臺還是之前那個老一套，鎖全P核心5.5G 14600KF+MPG Z790刀鋒鈦+DDR5 7200MHz，RING頻率4.2G，系統版本爲WIN10 22H2（19045.4170），測試盤安裝在直連CPU的第一槽並採用主板原配散熱模塊，測試環境爲2024年11月18日冬天室內無空調28度。

測試平臺信息

AIDA64溫度限制信息

Flash id信息

軟件讀取信息部分，通過FLASH ID，我們可以看到NV3 1TB使用的是上文提到過的東芝162層BiCS6 TLC顆粒；從AIDA64可以看到，固件溫度限制在75~80度之間，加裝散熱是保持性能和不掉盤的前提；而在CrystalDiskInfo中，NV3 1TB固件版本爲ERFK1N.3，固態硬盤本身工作在PCIe4.0x4下，一切正常。

CrystalDiskInfo9.3.1

NV3 1TB在CrystalDiskMark 1G下實際順序讀寫超過了標稱6000MB/s和4000MB/s標稱值，實際成績爲6146.52MB/s和5358.64MB/s，4K讀取爲99.04MB/s；在32G項目中，性能表現和1G大差不差；高壓的64G下，也就4K讀取性能略微下降至85.43MB/s；可以說NV3 1TB在三個不同數據大小的測試項目下，性能都表現出驚人的一致，這在主流定位產品乃至其他羣聯E27方案下都是比較少見的，整體表現值得肯定。

CrystalDiskMark8.0.4c 1G

CrystalDiskMark8.0.4c 32G

CrystalDiskMark8.0.4c 64G

和之前一樣，AS SSD Benchmark由於程序多年沒更新會出現偏低的情況，NV3 1TB在AS SSD Benchmark 1GB下取得了10504總分，其中順序讀取5065.73MB/s，順序寫入4734.10MB/s，4K讀取98.31MB/s；10GB數據大小順序讀寫反而略微提升到5181.53MB/s和4889.50MB/s，而4K讀取則略微下降至75.69MB/s；整體跑分雖然相對CrystalDiskMark略低，但4K部分還是相當亮眼的。

AS SSD 1G

AS SSD 10G

在ATTO 4.0中，NV3 1TB的表現就相當強悍了，無論是256MB還是32GB文件大小，在整個跑分過程中，64KB~128KB就開始達到高速水平，順序讀寫分別爲6.5GB/s和6.23GB/s，整體性能遠超標稱數值；和其他幾個跑分項目一樣，跑分數據文件大小對跑分成績並沒有多大影響。

ATTO 256MB

ATTO 32G

TxBENCH0.98b跑分部分，順序讀寫分別爲5901.392MB/s和5453.345MB/s，前者比標稱的6000MB/s略低，但後者卻大幅超越標稱4000MB/s，只能說跑分算法始終是妙不可言的。

TxBENCH0.98b

SLC Cache大小+全盤寫入測試

和之前的測試一樣，管家通過主板BIOS對NV3 1TB進行安全擦除，再次進入系統後執行TxBENCH RAW模式自定義測試全盤寫入，測得數據NV3 1TB爲空盤狀態下的SLC cache大小。

安全擦除成功

RAW模式下執行全盤寫入測試

速度下降所在位置

實際SLC cache大小

NV3 1TB實際SLC cache容量相當理想，和其他羣聯E27有着巨大差別，在開始寫入1分09秒前一直維持在5300~5400MB/s寫入速度，到達1分09秒後速度開始下降，此時寫入量爲365113114624bytes，換算後得出結果是：NV3 1TB全速SLC cache約爲340G。

在全速SLC cache耗盡後寫入速度會一直維持在300MB/s附近直到寫入結束，全盤寫入整個過程曲線變化穩定，自始至終沒進入GC階段。

值得說明的是，相比之前其他牌子的羣聯E27方案，NV3 1TB的SLC cache容量大了接近7倍，而SLC cache耗盡後速度相比其他方案大差不差，最後也沒有進入GC階段帶來性能波動；可以說，NV3 1TB的固件方案在日常使用中更多時候保持全速狀態，非高壓測試環境下體驗會更好一點。

溫度測試

通過CrystalDiskInfo進行溫度查看，在TxBENCH執行全盤寫入10分鐘後和CrystalDiskMark64G寫入跑分上分別截圖，測試結束後待機10分鐘後截圖記錄溫度；PS此時爲廣東11月18日室內無空調28度。

CrystalDiskMark64G寫入跑分溫度：61攝氏度

TxBENCH執行全盤寫入10分鐘後溫度：59攝氏度

測試結束待機10分鐘後溫度：42攝氏度

無論是CrystalDiskMark64G寫入跑分還是TxBENCH執行全盤寫入10分鐘後溫度，讀數都維持在60攝氏度上下，而待機溫度則爲42攝氏度，在28度室溫環境下，作爲一款PCIe4.0固態硬盤來說，這個溫度表現還算理想，但可以肯定的是，NV3 1TB一定需要加裝散熱模塊以保證在高壓環境下的安定運行。

結語：有想法的固件設定

在本次開箱試玩測試中，管家手上這片金士頓NV3 1TB固態硬盤整體表現是可圈可點的，作爲一款主流定位的固態硬盤產品，其實際跑分成績遠超標稱的6000MB/s和4000MB/s，實際成績達到了6200MB/s和5300MB/s水平，並且在不同數據大小下跑分成績維持一致；金士頓在NV3 1TB的固件設定上做了更人性化的調整，讓SLC cache大小達到350G左右，保證日常使用擁有更大的高速區間，並且全盤寫入過程中沒有進入GC階段，很有想法；羣聯E27+東芝162層BiCS6 TLC顆粒組合，配合3年有限保固和320TBW寫入上限，在可靠性方面比較理想。

管家認爲，金士頓NV3 1TB是一款性能比較不錯的主流PCIe4.0固態硬盤，固件設定SLC cache大小達到350G左右保證日常高速體驗，在主流定位的PCIe4.0固態中較有競爭力，適合DIY玩家和遊戲玩家選擇。