《科技》明年DRAM位元產出增 廠商要獲利需謹慎產能

根據TrendForce最新調查，DRAM產業結構越趨複雜，除既有的PC、server、mobile、graphics和consumer DRAM外，又新增HBM品項。從地緣角度分析，近年中國供應商的產能快速成長，預期將造成供給版圖變化。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix因HBM產品大幅提升獲利，2025年新增產能幅度最大。預估2025年整體DRAM產業位元產出將增加25%，若扣除中國供應商的供給，年增幅度將略減爲21%。然目前中國業者的產出絕大多數提供給本地客戶，供應至海外地區的比例微小。

得益於AI需求，HBM成爲DRAM產業重要驅動力。如排除HBM產品，2025年一般型DRAM(Conventional DRAM)位元產出預計年增20%；當扣除HBM和中國業者的供給，即只看三大原廠的conventional DRAM位元產出，預估明年將年增15%，於歷年情況中屬偏低水位。一般而言，一般型DRAM包含DDR5、DDR4、LPDDR4/5，以及graphics和consumer DRAM。

TrendForce指出，2025年整體DRAM產業位元供給充足，若需求不如預期，供應商易面臨跌價壓力。在地緣考量下，中國的DRAM供給達成率將高於其他地區，以使用舊制程的LPDDR4x與DDR4爲主，這兩項產品的價格壓力將遠高於其他類別。此外，明年HBM供貨將持續吃緊，以HBM3e情況最嚴重。