可生產8奈米晶片...中自製DUV大突破 將衝破美圍堵

中國已取得技術突破，研發出深紫外光曝光機（DUV）；圖爲艾司摩爾DUV。（路透）

中國工信部公佈一項通知顯示，中國已取得技術突破，研發出深紫外光曝光機（DUV），可生產8奈米及以下晶片，目前正在推廣應用；中美近年掀起科技戰，美國積極防止中國取得先進晶片製造設備，如今中國在這項技術獲得重大突破，除引起科技圈關注，還有望衝破美國圍堵。

中國工信部官網9日公佈「首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。工信部稱，重大技術裝備是國之重器，事關綜合國力和國家安全。「首臺（套）重大技術裝備」是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品，包括整機設備、核心系統和關鍵零組件等。

這份目錄顯示，在積體電路生產裝備，其中一項是「氟化氬光刻機」（DUV曝光機），核心技術指標爲：「晶圓直徑300mm，照明波長248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。

這也代表，這臺中國國產DUV曝光機可生產8奈米及以下晶片，至於中國國產DUV曝光機的（製造）良率則未提到。

中國科技媒體「科學科技說」轉發上述內容稱，中國自己的DUV曝光機終於來了，雖與晶片製造設備龍頭艾司摩爾（ASML）曝光機存在幾代差距，至少已填補空白，可控可用，期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機（EUV）。

從工信部的消息看，這次突破主要集中在28奈米。這一節點在半導體制造上具有舉足輕重地位，是許多晶片的基礎過程。這項突破的意義不僅在於技術層面的進步，更在於它爲中國帶來策略上的主動權。這意味着在未來面對外在挑戰時，中國將能夠更從容地應對並保持自身的獨立性和自主性。

美國本月初才宣佈收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制，荷蘭政府隔天跟進，路透報導，ASML的1970i和1980i深紫外光曝光機（DUV）輸出中國會受到影響，兩款機型大約是ASML所屬DUV產品線的中階位置。有分析指，中國若實現國產8奈米及以下製程DUV，未來絕大多數晶片製造將不用受制於ASML。

此外，日經中文網上月底報導，日本半導體調查企業TechanaLye社長清水洋治表示，儘管良率上仍存有差異，但是中國晶片的技術實力，目前僅落後臺積電三年的水準。清水洋治並在分析華爲智慧型手機後稱，到目前爲止，美國政府的管制只是略微減慢中方的技術創新，但卻推動中國半導體產業的自主生產。

美國圍堵中國取得先進晶片製造設備，始於2022年8月，美國總統拜登簽署「晶片與科學法案」，嚴格禁止未來十年內所有聯邦政府資助的美國科技公司繼續在中國從事半導體先進製程的經營。同年9月禁止NVIDIA（輝達）和超微（ AMD） 的高階AI與伺服器晶片出口中國。

2024年3月，拜登政府再次修訂防止中國取得美國AI晶片和晶片製造設備的規定，根據新規則，出口管制也適用於內載相關晶片的筆記型電腦；專家分析稱，這將影響未來中國個人電腦（PC產業）的發展。