力旺推ReRAM IP 業績添新引擎

5G通訊全面商用已帶動物聯網應用進入成長爆發階段，包括微控制器（MCU）及特殊應用晶片（ASIC）等系統核心運算晶片，也開始大量採用40奈米及更先進製程量產。然而關鍵的eFlash技術主要基於電荷密度設計，製程微縮造成因耐久性及可靠度的嚴重衰退，導致將eFlash技術添加到邏輯製程的成本開始大幅增加。

雖然業界現階段採用記憶體控制器來解決傳統eFlash技術在40奈米以下製程節點的成本過高或可靠度大減等問題，包括加入糾錯碼（ECC）及數位訊號處理演算法等，但在針對物聯網環境打造的新一代MCU或ASIC的設計上，已開始採用ReRAM或磁阻式記憶體（MRAM）技術。

力旺看好嵌入式ReRAM及MRAM的強勁爆發力，近年來與晶圓代工廠擴大合作投入研發，近期終於獲得重大突破，第三季正式推出首款採用氧空缺記憶體（OxRAM）技術的ReRAM IP，已獲新唐日本NTCJ採用在安全應用新款MCU當中，同時通過聯電40奈米認證。

力旺嵌入式ReRAM IP採用製程將持續延續至22奈米，並將與新唐日本NTCJ展開新一代OxRAM技術的嵌入式ReRAM IP合作，未來量產後將共同進軍智慧卡市場。

再者，力旺在嵌入式MRAM IP研發進展順利，近期可望完成22奈米制程的認證。未來隨着晶圓代工廠將現有eFlash製程升級到嵌入式ReRAM或MRAM技術世代，力旺營運將再添強勁成長動能。

力旺受惠於電源管理IC、面板驅動IC、車用晶片等出貨暢旺，帶動IP授權金及權利金同步成長，上半年合併營收11.38億元，歸屬母公司稅後淨利5.37億元，同創歷史新高，每股淨利7.20元優於預期。法人看好力旺下半年營運優於上半年，全年獲利可望賺進1.5個股本。

力旺公告7月合併營收年增20.9％達3.72億元，前七個月合併營收15.11億元，較去年同期成長31.7％。力旺的權利金收入主要是以晶圓代工價格爲計算基礎，隨着臺積電計劃明年全面漲價，以及聯電、力積電等業者持續調漲價格，力旺將直接受惠。