陸最大快閃記憶體晶片製造商長江存儲 起訴美光涉專利侵權

長江存儲9日起訴美國美光科技有限公司，指其侵犯8項美國專利。（美聯社資料照片）

大陸《第一財經》11日晚引述美國加州北區法院公告，指長江存儲已於9日起訴美光科技有限公司（下稱「美光」）及全資子公司美光消費產品集團有限責任公司侵犯其8項美國專利。長江存儲在專利侵權起訴書中稱，訴訟是爲了終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲專利創新。

長江存儲是大陸最大的3D NAND Flash（快閃記憶體晶片製造）廠商。長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖透過迫使長江存儲退出3D NAND Flash市場來阻止競爭和創新。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲介質，NAND Flash可製造SSD（固態硬碟）等記憶體，用於手機、伺服器、PC等產品。此次美光被控侵權的產品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產品。

長江存儲在以上起訴書中稱，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成爲全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示，2022年11月，分析和跟蹤快閃記憶體市場的TechInsights公司得出結論：長江存儲是3D NAND快閃記憶體領域的領導者，超過了美光。

2022年10月，美國商務部工業和安全局發佈出口管制新規，限制對中國大陸出口晶片製造設備等，將長江存儲NAND Flash晶片層數卡在已量產的最新工藝上。當年12月，美國又將長江存儲納入出口管制「實體清單」。

報導指，除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生產商之一。2016年，生產DRAM的另一大存儲晶片廠商福建晉華與聯電簽署技術合作協定，開發DRAM相關製程技術，在福建晉江投資56.5億美元建設一條12英寸晶圓廠生產線。2017年，美光在美國起訴晉華與聯電，稱晉華員工竊取其智慧財產權交給晉華。2018年，美國商務部又將晉華列入出口管制「實體清單」。