M31Ｘ高塔半導體 65奈米記憶體方案問世

M31與高塔半導體共同優化的設計架構，巧妙結合低功耗元件Analog FET（類比場效電晶體），不僅能夠完美滿足當前SoC晶片對低功耗的嚴格要求，更爲未來物聯網（IoT）、智慧型穿戴裝置、車聯網（V2X）以及人工智慧（AI）等新興應用領域提供了關鍵技術支持。

爲了進一步提升產品的靈活性與適用性，M31特別在此IP中提供了多組Deep NWell電壓組合（0～8V、8～16V、16～24V），讓客戶能夠更加靈活地與其他外部IC進行整合。值得一提的是，M31的研發團隊在追求低功耗的同時，也成功克服了諸多設計挑戰，實現了速度性能的顯著提升，爲客戶帶來效能最佳化的雙贏方案。

M31研發副總連南鈞表示，與高塔半導體這樣的業界翹楚攜手合作，共同加速產品研發進程，爲客戶提供更加優質、創新的半導體解決方案。

在此次合作中，M31特別專注於類比IC和低功耗元件的技術整合，不僅展現了高度的協同效應，更能有效協助客戶在日益複雜的SoC晶片架構中，實現性能和功能的全面優化。這次的成功合作再次證明了M31在全球晶圓廠供應鏈中的重要地位和多元化發展戰略。