買不到EUV！中芯7奈米如何助攻華爲？臺積電老將1句神分析

外媒報導，中芯7奈米大突破，爲華爲生產最新晶片。（示意圖/達志影像/shutterstock）

華爲成功繞道美國製裁，上週突襲開賣最強新旗艦機Mate 60 Pro，引發外界高度關注。權威機構TechInsights拆解後，證實該款手機的麒麟9000S處理器，是由中芯國際採用7奈米制程生產，但大陸無法買到打造先進製程的極紫外光（EUV）微影設備，如何製造7奈米晶片，臺積電前研發大將曾表示，以現有深紫外光（DUV）機臺也能做到5奈米、7奈米晶片，內行透露，必須採用多重曝光方式，但這是一種影響良率和成本的昂貴技術。

科技媒體Tom's hardware報導，華爲旗下海思麒麟9000S處理器，看起來是一款相當複雜的SoC（系統單晶片），封裝自家TaiShan微架構的四顆高效能核心（一顆高達2.62 GHz、兩個高達2150 MHz）和四顆電核心高達1530 MHz 。與海思前世代SoC的ARM架構核心相比，麒麟9000S的CPU和GPU以相對較低的時脈運行。

中芯從未公開表示N+1和N+2是7奈米制程，2020年曾提到其N+2技術，當時看起來像是N+1進化版，而N+1曾被稱爲臺積電N7（7奈米制程）的低成本替代品。

據業界人士透露，中芯N+1相當於7奈米LPE（低功耗）製程， N+2相當於7奈米LPP（高性能）製程。

報導指出，中芯國際的「Twinscan NXT:2000i」深紫外光（DUV）微影設備雖可打造5奈米或7奈米晶片，卻必須大量使用DUV多重曝光程序，這是一項會影響良率和成本的昂貴技術。因此，中芯國際5奈米技術的經濟效益，遠低於市場一線大廠臺積電、英特爾和三星。

據Digitimes科技網先前報導，臺積電前研發副總林本堅認爲，微影技術及產能的投資成本很高，以中芯來說，不一定要用到高階昂貴EUV機臺，以現有設備應該能做到5奈米制程，但技術研發是否到位很重要。

半導體設備大廠荷商艾司摩爾（ASML）除了不賣EUV給大陸，美國還施壓要求停止向大陸出售深紫外光（DUV）微影設備。ASML證實，已獲荷蘭政府許可，年底前繼續出貨中國，但2024 年1月起，無法取得出口中國的DUV 許可證。