美光臺中四廠 聚焦AI新應用

據瞭解，Sanjay Mehrotra將偕同美光技術開發事業部資深副總裁陳德拉斯卡蘭（Naga Chandrasekaran）、美光前段製造企業副總裁暨臺灣美光董事長盧東暉、美光先進封裝技術開發處副總裁辛赫（Akshay Singh）以及政府官員蒞臨盛會。

美光成立45週年來，締造了無數創新科技，奠定其業界領導地位。因應AI浪潮來襲，美光亦推出新一代高頻寬記憶體（HBM3E），賦能未來AI應用，而臺灣台中四廠將是美光深化在臺承諾的實踐。

臺灣是美光DRAM卓越製造中心之一，多達65％DRAM在臺灣生產，未來臺灣更將是最先進DRAM製造和先進封裝重鎮。

美光目前正在打造下一世代1-gamma製程，採用極紫外光（EUV）製程技術，計劃2025年上半年量產，1-gamma製程預期就會先在臺中廠量產。

近期AI浪潮風起雲涌，HBM更在AI扮演重要角色，美光正積極擴大HBM佈局，先前宣佈推出業界首款8層堆疊（8-High）24GB的HBM3 Gen 2產品，已開始送樣，計劃2024年第一季放量出貨。

TrendForce指出，HBM是高階AI晶片上搭載的記憶體，屬於DRAM中的一個類別，主要由三大供應商三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）與美光供應。

隨着AI熱潮帶動晶片需求，對HBM需求量在2023年與2024年隨之提升，促使原廠紛紛加大HBM產能，展望2024年，HBM供給情況可望大幅改善。

而以規格而言，伴隨AI晶片需要更高效能，HBM主流也將在2024年移轉至HBM3與HBM3e。

整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高於前代產品的情形下，2024年HBM營收可望有顯著的成長。