美光效能最強、延遲最低創新主記憶體MRDIMM送樣 支援AI PC和HPC應用

美光效能最強、延遲最低創新主記憶體MRDIMM送樣支援AI PC和HPC應用。（路透）

記憶體大廠美光今日宣佈其多重存取雙列直插式記憶體模組 （multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM） 開始送樣。MRDIMM 讓美光客戶得以滿足要求日益嚴苛的工作負載，充分發揮運算基礎架構的最大價值。

針對記憶體需求高達每DIMM插槽128GB以上的應用，美光MRDIMM的效能更勝目前的矽晶穿孔型 (TSV) RDIMM，實現最高頻寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速記憶體密集型如虛擬化多租戶、HPC 和 AI 資料中心等的工作負載。今日開始送樣的記憶體是美光MRDIMM系列的第一代產品，與Intel® Xeon 6處理器相容。

美光副總裁暨運算產品事業羣總經理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的創新主記憶體解決方案MRDIMM以更低的延遲提供業界迫切需要的高頻寬與大容量，有助在下一代伺服器平臺上實現大規模AI推論和高效能運算（HPC）應用。MRDIMM顯著降低每項任務的功耗，同時延續了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護性功能與介面，爲客戶提供靈活擴充效能的解決方案。新產品不僅能夠無縫整合到現有伺服器基礎架構中，更可順暢銜接未來運算平臺。

MRDIMM技術採用DDR5 的物理與電氣標準，帶來更先進的記憶體，每核心的頻寬與容量雙雙提升，爲未來運算系統做好準備，更滿足資料中心工作負載日益成長的需求。

美光強調，領先業界的記憶體設計使用 32Gb DRAM 晶粒製程技術，只需花費16Gb 晶粒製程128GB TFF MRDIMM的功耗即可享受256GB TFF MRDIMM的效能。在最高資料傳輸率下，256GB TFF MRDIMM 的效能較同容量的 TSV RDIMM 提升35%。採用 256GB TFF MRDIMM，資料中心可享受前所未有的整體擁有成本（TCO）優勢，大勝傳統TSV RDIMM。

英特爾副總裁暨Xeon 6資料中心產品管理總經理 Matt Langman 表示，MRDIMM採用DDR5 介面和技術，能與現有的 Xeon 6 CPU 平臺無縫相容，爲客戶提供選擇彈性。MRDIMM 爲客戶帶來更高頻寬、更低延遲，以及多種容量選擇，適用於 HPC、AI 及其他大量工作負載，這些工作負載一樣都能繼續運行在支援標準 DIMM的 Xeon 6 CPU 平臺上。

美光表示， MRDIMM現已上市，並將於2024年下半年開始大量出貨。