美光宣佈 1-gamma EUV 內存試生產，下一代閃存目標 2025 年量產

IT之家 3 月 22 日消息，美光於近日發佈了截至 2 月 29 日的 2024 財年第二財季財報，配套的演示文稿中對其 DRAM 內存和 NAND 閃存的未來與現狀進行了介紹。

美光稱其引入 EUV 光刻的下一代 1-gamma 內存已進行了試生產，同時下一代 NAND 節點的開發也在按計劃進行，目標 2025 日曆年實現量產。

回到目前，美光稱其 3/4 的 DRAM 內存顆粒位於 1-alpha / beta 先進節點上，而在 NAND 閃存方面更是有 90% 的產能位於 176 層 / 232 層節點。

來到產品，在傳統服務器內存方面，美光表示其在業界率先完成了單層結構的 32Gb 芯片 128GB 服務器內存驗證。美光預計在接下來半年內該款內存模組可實現數億美元的營收。

而在能實現更高速率的 MRDIMM 上，美光已宣佈開始對 256GB 單條進行採樣。

同時，對於 LPCAMM2 模組產品，美光表示服務器行業也將採用，在保持 LPDDR 高速低功耗優勢的同時擁有可插拔的特性。服務器用 LPCAMM2 模組容量將可達 128GB。

談到消費級存儲，美光表示其客戶端固態硬盤產品中 QLC 顆粒的出貨量已創下新高，已佔到總體的 2/3，進一步鞏固其作爲其客戶端 QLC 固態硬盤領軍者的地位。

作爲背景，美光於 2022 年初推出了面向 OEM / SI 的 2400 系列 PCIe Gen4 QLC 固態硬盤；旗下消費級品牌英睿達也於當年 9 月推出了 P3（Plus）固態硬盤，部分採用 QLC 閃存。

總體上看，QLC 在消費級的佔比上升屬於市場大勢：參考IT之家報道，去年致態在零售端推出了 Ti600，西部數據也於近期推出了 PC SN5000S。