美擴大防陸 臺積大陸廠影響受關注

美國近日加強對中國半導體業防堵

面對中國以「舉國體制」發展半導體產業，美國也持續加強打擊力道，防堵範圍延伸到成熟技術領域。美國繼日前通過「晶片與科學法案」，要求接受補貼的企業，十年內不得擴大在中國大陸的投資後，業界人士透露，美方要求業者禁止出售14奈米以下半導體設備到中國，此舉是否連帶影響臺積電等在大陸設廠的臺資企業，須保持關注。

綜合外媒報導，半導體已成爲中美科技戰的主戰場，美國一方面增強自己實力，包括日前推動總規模2,800億美元的「晶片與科學法案」過關；一方面加大防堵中國大陸的力道，除防止先進技術外流，也藉此延緩大陸半導體急起直追的步伐。

報導稱，當前美方加緊審查對中國出口半導體政策，並遊說其他國家配合。近期再傳出，美國遊說荷蘭政府，要求艾司摩爾停止向中國出售成熟製程所需的深紫外光（DUV）曝光微影系統。

另據美國半導體業者科林研發（Lam Research）和科磊（KLA-Tencor）高管透露，美方正對中國半導體進一步嚴防，其已在近日收到美國政府通知，禁止在無許可下，對中國出口14奈米以下的設備，而該禁令先前禁止10奈米或以下的先進技術設備。

業者指出，美方新規可能不只打擊到中企，甚至連在大陸設廠的境外企業如臺積電等，恐怕也將遭受影響。

惟百般阻撓下，仍不時傳出令美方驚心消息。日前有行業機構指出，中芯即使受美國製裁，其製程技術仍取獲突破。MinerVa Semiconductor新上市礦機晶片採中芯7奈米制程，且應用N+2技術，等級相當於臺積電7奈米強化版。此前市場認爲，中芯量產最頂尖技術爲14奈米成熟製程。

專家認爲，儘管中芯7奈米技術被認爲有抄襲臺積電之嫌，但也暴露美國防堵高階製程技術流入中國的防線，出現漏洞，加強美方建設本土供應鏈的決心，讓高階半導體制程留在美國。