南亞科、華邦電資本支出 拉高6成

今年以來DRAM市況持續好轉，現貨價及合約價同步上漲，在預期第二季後DRAM供不應求，產業多頭行情將延續到年底或明年上半年，南亞科及華邦電均擴大今年資本支出逾六成，因應新制程研發並增加生產設備擴充產能。法人指出，南亞科第一代10奈米試產順利，明年將可開始貢獻營收；華邦電路竹新12吋廠明年上半年裝機，爲長期營運增添成長動能。

DRAM供給吃緊推升現貨價一路走高，標準型、利基型、伺服器DRAM合約價預期將逐月、逐季調漲，爲南亞科及華邦電等國內DRAM廠營運帶來成長動能，上半年接單滿載，訂單能見度已看到下半年。爲了因應新制程研發並擴增新產能，南亞科及華邦電將提高今年資本支出，迎接DRAM產業多頭行情到來。

南亞科去年資本支出86.7億元，今年預估將拉高至150億元，較去年成長73％，其中的60～70％將用於10奈米生產設備，其餘則用於廠務工程的營建需求。南亞科第一代10奈米技術研發順利進行，預期新生產線明年完工後就可開始投產，預期明年將可開始貢獻營收，第二代10奈米也已排定並開始投入研發階段，今年底前將開始進入試產。

南亞科於日前法說會中指出，新冠肺炎疫情帶動的遠距商機及宅經濟需求會延續到今年上半年，在供給吃緊情況下，上半年DRAM合約價將逐季上漲，對營收及獲利都會帶來正面效益。由於整個DRAM市場位元供給成長幅度有限，預期上半年DRAM市場都將供不應求。

華邦電已啓動高雄路竹12吋廠興建計劃，預期新廠將在明年上半年裝機及試產，明年下半年應可開始量產DRAM。華邦電去年資本支出約79億元，今年將提高至127億元，較去年增加約六成，主要用於增加生產及研發設備。