日法將合作開發1奈米級新一代半導體技術

日本晶圓代工廠Rapidus宣佈攜手東京大學與法國半導體研究機構Leti，共同開發1奈米新一代半導體設計的基礎技術。（圖／Shutterstock)

日本晶圓代工廠Rapidus宣佈，將攜手東京大學與法國半導體研究機構Leti合作，共同開發1奈米新一代半導體設計的基礎技術。2024年將正式開展人才交流和技術共享，利用Leti的技術構建有利於提高自動駕駛和人工智慧（AI）性能的1奈米產品供應鏈。

《日經中文網》報導說，日本Rapidus正與美國IBM、比利時半導體研究開發機構imec進行合作，預計於2027年實現的2奈米產品進行量產。

此外，1奈米產品預計在2030年代以後普及，功率及運算性能將比2奈米產品高1～2成。1奈米產品目前在考慮尋求與IBM合作，這種日美歐跨國合作有利於新一代產品的穩定供應。

報導說，Rapidus、東京大學及理化學研究所等加入的研究機構「最尖端半導體技術中心（LSTC）」與Leti於10月簽訂了探討合作的備忘錄。

據瞭解，3方並將在2024年正式展開人才交流、技術共用，目標是運用Leti的半導體元件技術，建構提升自動駕駛、人工智慧（AI）不可或缺的1奈米晶片產品供應機制。

LSTC與Leti的目標是確立設計開發線寬爲1.4奈米～1奈米的半導體所需要的基礎技術。1奈米產品需要不同於傳統的晶體管（元件）結構，Leti在該領域的成膜等關鍵技術上佔優，最尖端半導體技術中心將在試製品評估及人才派遣等方面進行合作。

報導指出，在2奈米晶片的量產上，Rapidus正和美國IBM、比利時半導體研發機構imec合作，且也考慮在1奈米等級產品上和IBM進行合作。預計在2030年代以後普及的1奈米產品運算性能將較2奈米提高10%-20%。

資料顯示，Rapidus於2022年8月成立，由豐田、Sony、NTT、NEC、軟銀(Softbank)、電裝（Denso）、NAND Flash大廠鎧俠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出資設立，出資額各爲73億日圓，且日本政府也將提供700億日圓補助金、作爲其研發預算。目標是在5年後的2027年開始量產2奈米先進製程晶片。Rapidus計劃國產化的物件爲使用於自動駕駛、人工智慧(AI)等用途的先進邏輯晶片。

今年2月底，Rapidus宣佈將在日本北部島嶼北海道的千歲市建造一座2奈米晶圓代工廠。Rapidus將基於IBM的2奈米制程技術，研發Rapidus版製造技術，計劃2027年量產。該技術將聚焦高性能計算（HPC）和超低功耗（Ultra Low Power）兩大方向。

今年9月初，Rapidus的2奈米晶圓廠已經正式動工建設，目標是在 2025 年之前將其 2奈米 晶圓廠建成並試生產，隨後在2027年量產2奈米晶片。屆時，日本有望成爲繼美國、中國臺灣、韓國、愛爾蘭之後，成爲全球第5個擁有導入EUV的晶片量產產線的地區。