日月光 小晶片互連對準AI

日月光投控21日宣佈VIPack平臺先進互連技術的最新進展，透過微凸塊 (microbump) 技術將晶片與晶圓互連間距的製程能力由40um（微米）提升到20um。圖／本報資料照片

日月光VIPack™平臺優勢

日月光投控21日宣佈VIPack平臺先進互連技術的最新進展，透過微凸塊 (microbump) 技術將晶片與晶圓互連間距的製程能力由40um（微米）提升到20um，滿足AI應用於多樣化小晶片（chiplet）整合需求。

日月光先前指出，今年先進封裝相關營收可望較去年翻倍成長，市場法人更看好，日月光在先進封裝技術持續推進，有利未來幾年在先進封裝營收比重快速拉昇。

日月光搶布先進封裝，該公司表示，AI相關高階先進封裝將從現有客戶收入翻倍，今年日月光在先進封裝與測試營收佔比上更高。

市場法人估計，日月光今年相關營收增加可望達2.5億美元以上，成長動能將持續，除了受惠高階先進封裝，日月光也將受惠主流封裝因應AI生態系統成長的半導體晶片需求。

日月光強調，這種先進互連解決方案，對於在新一代的垂直整合，例如日月光 VIPack平臺2.5D和3D封裝與2D並排解決方案中實現創造力和微縮至關重要。

日月光也指出，隨着小晶片設計方法加速進化，該公司先進互連技術使設計人員能夠有創新的高密度小晶片整合選項，微凸塊技術使用新型金屬疊層 （metallurgical stack），將間距從40um減少到20um。

微凸塊技術進步擴展現有的矽與矽互連能力，此技術更有助於促進其他開發活動，從而進一步縮小間距。

日月光補充，當針對系統單晶片（SoC）進行小晶片或IP區塊解構（disaggregation）時，區塊間可能存在大量連接，小尺寸IP區塊往往會導致許多空間受限的連接，微間距互連技術可以實現3D整合及更高密度的高IO記憶體（high IO memory）。

AI快速增長，日月光提供先進互連創新技術，滿足複雜晶片設計及系統架構要求，降低製造成本並加快上市時間。晶片級互連技術的擴展爲小晶片開闢更多應用，不僅針對AI等高階應用，也擴及手機應用處理器（mobile AP）以及微控制器等其他關鍵產品。