三安集成於EDICON24展示新一代砷化鎵射頻器件製造工藝

（原標題：三安集成於EDICON24展示新一代砷化鎵射頻器件製造工藝）

EDICONCHINA2024 （電子設計創新大會）於4月9日-10日在北京會議中心正式舉行，暌違三年有餘，作爲無線通信行業工程師的專業交流平臺，大會再次召集了射頻、微波以及無線設計行業領域的精英企業，針對當下的通信、消費和航空航天等領域的應用展開討論和技術分享。三安集成作爲化合物射頻前端器件的整合服務商，應邀參與大會，並在技術報告會中做出分享。

三安集成應邀參與EDICON 2024，並在技術報告會中做出分享。

隨着5G演進到Rel. 18及更高，推動着射頻前端迭代到最新的Phase 8架構，集成度進一步提高。三安集成新一代的砷化鎵射頻器件製造工藝正是針對市場主流的模組化趨勢，能夠爲客戶提供更高性能的解決方案。

射頻前端PA器件功放管主要採用砷化鎵HBT工藝，追求在高頻工況下，具備高線性度、穩定性和放大效率。三安集成通過在外延材料及工藝端的改善，發展的HP1/HP2工藝，對比起前代的HG6/HG7，在IMD3和PAE均有明顯的改善，能夠滿足在複雜工況下的信號輸出穩定需求。同時，配合新一代的銅柱工藝，實現晶圓的輕薄化和良好散熱特性，減小模組尺寸，縮減成本、提升整體系統性能。

三安集成砷化鎵研發部部長郭佳衢在報告中提道，三安集成的砷化鎵HBT工藝已經覆蓋了2/3/4G，Sub-6GHz，以及Wi-Fi 7等無線通信應用，並向着更高頻率的應用投入研發資源。

砷化鎵PHEMT是三安集成的另一工藝體系，目前已進展到0.1um的工藝節點，可以滿足客戶在Ka至W波段的高頻應用，實現良好的信號強度和低噪聲係數。成熟的P25工藝型譜則廣泛應用於接收模組和中高功率的手機和基站，新一代P25ED51工藝相比前代在OIP3係數有明顯改善，顯現出出色的產品競爭力。

"三安集成具備豐富的大規模製造經驗，秉持'客戶至上'的精神，爲客戶和市場提供更高質量的製造服務，幫助客戶實現商業成功，共同促進無線通信行業的發展繁榮。"郭佳衢部長補充道。

關於三安集成

三安集成成立於2014年，是專注於化合物射頻前端芯片製造的整合解決方案提供商，提供砷化鎵射頻前端代工服務，濾波器產品，以及先進應用封裝代工服務。主要服務智能手機、通信模塊、Wi-Fi和民用基站等應用領域。