三星三季度半導體利潤大跌，“韓國雙雄”爲何兩極分化？丨硬科技三季報
21世紀經濟報道記者駱軼琪 廣州報道
繼HBM（高帶寬內存）拓展不力、先進晶圓代工製程良率不佳等消息傳出後，三星發佈了一份並不樂觀的季度財報。
10月31日，三星電子第三季度財報顯示，期內實現營收79.10萬億韓元，同比增長17%、環比增長7%；經營利潤9.18萬億韓元，同比增長278%、環比減少12%；淨利潤10.10萬億韓元，同比增長73%、環比增長3%。
從旗下具體業務看，半導體業務經營利潤出現了較大程度環比下滑，由於公司其他業務在當季度的環比盈利增速均低於1%，由此拖累了公司整體利潤表現。
相比之下，同被稱爲“韓國雙雄”的另一家存儲巨頭SK海力士則一路高歌猛進。
據披露，第三季度SK海力士實現營收17.57萬億韓元，同比增長94%、環比增長7%；經營利潤7.03萬億韓元，同比大幅扭虧（上年同期爲虧損1.792萬億韓元）、環比增長29%。
兩家公司整體收入有較大差異，源於三星還有其他如顯示、手機等多元業務支撐，但這些業務已經難掩其半導體業務的承壓現實。而SK海力士得以快速成長，甚至在頭部存儲廠商中率先得以實現扭虧，背後是面向AI時代的技術準備和驗證速度快於同業。
三星顯然看到了半導體業務正面臨競爭壓力，近期更換了業務主管，也在積極推進向英偉達的HBM驗證工作。只是這到底需要多久能爲三星的業績帶來改變，還待時間驗證。
存儲承壓？
作爲存儲市場的絕對龍頭，三星的業績表現一定程度有市場風向標的意味。
三季度三星的半導體業務實現經營利潤3.86萬億韓元，環比下滑40%、同比上漲203%；實現營收29.27萬億韓元，同比上升78%、環比上升3%。
三星的半導體業務涵蓋存儲和晶圓兩類，但存儲是其中主要貢獻業務類型，三季度實現營收22.27萬億韓元，同比上升112%、環比上升2%。
根據三星電子方面分析，三季度存儲業務由於科技公司的積極投資佈局，推動AI和傳統服務器需求強勁，但移動設備端的需求面臨庫存調整，且隨着中國傳統產品的供應增加，對供需關係帶來一定影響。
不過公司方面強調，整體庫存水平和產品結構在進一步改善，且HBM、DDR5、服務器SSD這些高端產品對銷售貢獻顯著擴大，以應對AI和服務器的相關產品需求。公司在該業務的利潤受到影響，主要受部分一次性開支的影響如激勵撥備，還受美元疲軟造成的貨幣因素影響。
展望第四季度，市場趨勢與前一個季度類似，公司將密切監測需求趨勢，例如關注地緣政治和刺激計劃等因素。公司方面將加速改善業務基本面，推動舊生產線向更高節點遷移，以此增強盈利能力，並加速推動庫存水平和產品組合的正常化；同時擴大HBM的產能以推進銷售增長，並加速向基於32Gb DDR5的高密度服務器需求的1b納米過渡。
展望2025年，三星方面認爲鑑於科技公司將持續推進投資，AI和傳統服務器相關需求將保持強勁，而隨着更多AI手機推出，將催化單機對內存容量的升級需求。
未來一年，三星將以利潤爲核心，注重提高先進技術的競爭力，而不是注重短期每bit的市場份額。在DRAM領域，將擴大HBM3E銷售並過渡到1b納米工藝，包括推進對服務器領域128GB和更高密度DDR5的銷售，手機端、PC和服務器市場LPDDR5x的銷售顯著增加。NAND領域主要關注高密度的市場需求趨勢，由此加速推進QLC NAND產品，並推動從V6到V8的技術遷移。
三星存儲業務盈利能力下滑，難免讓人聯想到前不久摩根士丹利率先喊出“存儲寒冬將至”的預測。不過整體來看，三星盈利能力大幅下滑，由部分終端市場供需不平衡和市場競爭所導致，說“寒冬”還是有些言過其實，當然供需問題已經傳導到了售價層面。
本輪存儲週期的扭轉，很大程度源於包括三星、SK海力士在內的上游存儲原廠爲了更早走出虧損泥淖，大幅縮減資本開支、減少市場供應，並擡高產品價格所致。這間接導致如今手機終端市場肉眼可見的價格上漲。
不過21世紀經濟報道記者梳理SK海力士的財報發現，今年前三個季度，NAND閃存市場的漲勢正在逐漸收斂；運存DRAM價格則相對堅挺。
在第三季度，SK海力士的NAND閃存產品ASP（平均銷售價格）環比增長中雙位數百分比（約15%），在第二季度則是中高雙位數百分比，第一季度環比增速更是高達30%以上。DRAM運存產品ASP在第二和第三季度均環比漲幅中雙位數百分比（約15%），第一季度則環比上漲20%以上。
一名行業觀察人士也對21世紀經濟報道記者分析，的確手機類目的存儲產品增幅已經在收窄，但服務器類存儲產品依然較爲緊俏。
HBM競速
更大的競爭是面向AI市場，HBM是當前頭部存儲廠商核心爭奪的市場。此前還有消息顯示，SK海力士2025年的HBM產能都已經預定完畢，其緊俏程度與英偉達GPU直接相關。
這是因爲SK海力士原本就是HBM領域的前行者。早在2014年，SK海力士與AMD聯合開發了全球首款硅通孔（TSV）HBM產品，這也是該技術的第一代產品，被稱爲HBM1。兩家公司還聯合開發了高帶寬三維堆疊存儲器技術和相關產品。
由此，SK海力士在該領域有了先發優勢。財報顯示，第三季度該公司HBM銷售同比增長330%、環比增長70%，HBM已佔公司DRAM總銷售額的30%，預計第四季度這一比重將達40%。
公司方面披露，其12層堆疊HBM3E將於今年第四季度開始出貨，預計2025年上半年該產品份額將超過HBM3E總出貨量的一半，且2025年HBM依然供不應求。
根據TrendForce集邦諮詢調查，三星、SK海力士與美光已分別於2024年上半年和第三季提交首批12層堆疊HBM3e樣品，目前處於持續驗證階段。其中SK海力士與美光進度較快，有望於今年底完成驗證。
該機構認爲，受AI平臺積極搭載新一代HBM產品所推動，2025年HBM需求位元將有超過80%落在HBM3e世代產品上，其中12層堆疊的佔比將超過一半，成爲明年下半年AI主要競爭廠商爭相競爭的主流產品，其次則是8層堆疊。
預估2025年HBM將貢獻10%的DRAM總位元產出，較2024年增長一倍。由於HBM平均單價高，估計對DRAM產業總產值的貢獻度將突破30%。
三星在HBM方面拓展較慢，也被業界認爲拖累其存儲業務發展進度。在業績會上，業界認爲三星隱晦傳遞出其新一代HBM產品已經通過英偉達驗證的消息，不過巨頭們已經在探索向下一代產品演進。
集邦諮詢指出，三大HBM原廠正在考慮是否於HBM4 16hi採用Hybrid Bonding（混合鍵合）等先進封裝技術，並已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項技術。
這意味着面向這一高成長性、高利潤市場的競爭在快速演進。三星的存儲業務盈利復甦進度，某種程度也與其技術路線決斷和商用進度密切相關。