SK海力士砸巨資 衝刺HBM晶片

SK海力士搶攻AI商機，將投入巨資設廠，衝高HBM晶片產能。圖／美聯社

SK海力士爲了衝高HBM（高頻寬記憶體）晶片產能搶攻AI商機，宣佈投資20兆韓元（約145億美元）在韓國清州市興建一座DRAM封裝廠，扭轉原定興建NAND Flash晶片廠的計劃。

SK海力士董事會在24日通過投資計劃，將毗鄰清州市園區M15廠蓋M15X廠，專門生產HBM晶片。M15X廠預計4月底動工，明年11月前完工進入初步量產階段。

SK海力士表示，M15X廠營造成本就會投入5.3兆韓元，完工後將陸續投資至少15兆韓元採購設備，整體投資額高達20兆韓元。

SK海力士在2022年曾宣佈一項爲期五年的投資計劃，當時這項計劃預定投資15兆韓元在M15廠隔壁興建M15X廠，專門生產NAND Flash晶片。

不料M15X廠房預定地破土動工後不久，全球經濟不景氣衝擊消費需求，導致NAND Flash晶片價格暴跌，廠房興建案也因此擱置。由於NAND Flash晶片主要應用在消費電子裝置，因此過去一年PC及其他電腦裝置需求不振造成NAND Flash價格偏低，反觀DRAM晶片需求因AI商機而急速擴大，其中又以SK海力士供應輝達的HBM晶片最爲搶手。

SK海力士預期未來幾年內，HBM晶片需求將以每年60％的成長率持續擴大，因此當務之急是擴張產能。

韓國政府先前爲了提升國內半導體制造實力，已邀集SK海力士及其他業者進駐龍仁市半導體園區。SK海力士承諾2046年前將在龍仁市園區投資120兆韓元，一共將興建四座廠房，其中首座廠房最快2027年開始營運。如今看來，SK海力士已等不及龍仁市園區完工，將搶先在清州市M15X廠生產HBM晶片。