《臺版晶片法案》產官學攻防 研發經費門檻 業界爭折衷版本

經濟部官員表示,近期跨部會的會議主要是在討論疫後特別條例,目前條例已經通過,接下來也會開始與財政部進行討論,不過工業局先前提出一個門檻版本供內部參考,但外界對於研發經費、研發密度門檻都還有不少意見,因此建議工業局聆聽業界聲音、繼續進行評估。

產創條例10條之2已完成三讀,與現行《產創條例》第10條(研發投抵額度是當年度抵減率15%,或分三年抵減率10%,採二擇一)相比,10條之2優惠更大,前瞻研發支出當年度抵減率25%、購置先進設備當年度抵減率5%,且「無投資抵減支出金額上限」,兩抵減各自上限不得超過當年度營所稅30%,兩項合計不得超過50%,施行期間自2023年1月1日起至2029年12月31日落日,預計六個月內要完成子法。

根據條例規定,要適用產創條例10條之2必須要符合三大適用要件,包括研發費用達一定規模、研發密度達一定規模、有效稅率達一定比率。有效稅率門檻在條例立法時已經獲得共識,也就是2023年應達12%,2024年審酌OECD全球企業最低稅負制情形調整緩衝一年,2025年起一律調整至15%;研發密度據悉也將縮小共識範圍,大約落在5%至6%之間。

但研發費用這項門檻,卻讓不少業者們搶破頭極力爭取調降。知情人士表示,財政部先前將研發費用門檻擬訂在100億元,只有臺積電、聯發科、聯詠等6至7家業者符合條件,「這樣也才符合鞏固國際領先地位的立法意旨」,但包括力積電董事長黃崇仁在內等多家半導體業者,希望門檻能有條件下降至50億元。