臺積電發表A16新型晶片製造技術 三大特點曝光！2026年量產

臺積電發表A16新型晶片製造技術 三大特點曝預計2026年量產。（示意圖／路透社）

臺積電今天在美國加州聖克拉拉舉行的北美技術論壇上，發表一種名爲TSMC A16的新型晶片製造技術，預計於2026年量產。相較於N2P製程，A16有速度更快、功耗降低、晶片密度大幅提升等特點。

根據臺積電官網，臺積電揭示最新的製程技術、先進封裝技術、以及三維積體電路（3D IC）技術，憑藉此領先的半導體技術來驅動下一世代人工智慧（AI）的創新。

臺積電首度發表TSMC A16™技術，結合領先的奈米片電晶體及創新的背面電軌（backside power rail）解決方案以大幅提升邏輯密度及效能，預計於2026年量產。臺積電亦推出系統級晶圓（TSMC-SoW™）技術，創新解決方案帶來革命性的晶圓級效能優勢，滿足超大規模資料中心未來對AI的要求。

臺積電針對TSMC A16™技術說明，隨着領先業界的N3E技術進入量產及N2技術預計於2025年下半年量產，臺積公司在其技術藍圖上推出了新技術A16。A16將結合臺積公司的超級電軌（Super Power Rail）架構與奈米片電晶體，超級電軌技術將供電網路移到晶圓背面而在晶圓正面釋出更多訊號網路的佈局空間，藉以提升邏輯密度和效能，讓A16適用於具有複雜訊號佈線及密集供電網路的高效能運算（HPC）產品。相較於臺積公司的N2P製程，A16在相同Vdd (工作電壓)下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，晶片密度提升高達1.10倍，以支援資料中心產品。