天合光能申請二吡啶並吩嗪類化合物相關專利,提高器件的光電轉換性能
金融界 2024 年 11 月 26 日消息,國家知識產權局信息顯示,天合光能股份有限公司申請一項名爲“二吡啶並吩嗪類化合物、光電器件及其製備方法、應用”的專利,公開號 CN 119019426 A,申請日期爲 2024 年 8 月 。
專利摘要顯示,本申請涉及一種二吡啶並吩嗪類化合物、光電器件及其製備方法、應用。上述二吡啶並吩嗪類化合物具有如下結構通式:各L獨立地爲取代或未取代的C4~C20的含氮雜環基,或取代或未取代的C4~C20的含氮雜芳基。上述二吡啶並吩嗪類化合物應用在電子傳輸層中,有利於提高電荷提取能力和載流子遷移率,進而提高器件的光電轉換性能。
本文源自:金融界
作者:情報員
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