芯恩申請LDMOS器件及其製備方法專利，改善場板結構底部電荷遷移問題

金融界2025年1月31日消息，國家知識產權局信息顯示，芯恩（青島）集成電路有限公司申請一項名爲“LDMOS器件及其製備方法”的專利，公開號CN 119383996 A，申請日期爲2024年3月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種LDMOS器件及其製備方法。該製備方法中，在層間介質層的下方設置有第一光吸收層，使得對層間介質層進行刻蝕所產生的大量光子可以由暴露出的第一光吸收層吸收，之後將吸收有大量光子且暴露出的第一光吸收層去除，避免了場板結構形成在具有大量光子的第一接觸孔內。如此，即可改善場板結構底部的電荷在吸收了大量光子後容易發生遷移的問題，提高器件的擊穿電壓；同時，還避免了吸收有大量光子的膜層仍被保留在器件內而存在能量溢出的風險，確保了器件的性能穩定性。

天眼查資料顯示，芯恩（青島）集成電路有限公司，成立於2018年，位於青島市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本1006720.789212萬人民幣。通過天眼查大數據分析，芯恩（青島）集成電路有限公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目165次，知識產權方面有商標信息15條，專利信息508條，此外企業還擁有行政許可55個。

本文源自：金融界

作者：情報員