英諾賽科取得 MOCVD 設備及其防污結構專利，能夠防止污染物進入反應器蓋和頂板之間對晶圓造成污染

金融界 2024 年 11 月 22 日消息，國家知識產權局信息顯示，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司取得一項名爲“MOCVD 設備及其防污結構”的專利，授權公告號 CN 222024557 U，申請日期爲 2024 年 1 月。

專利摘要顯示，本實用新型涉及半導體加工技術領域，提供一種 MOCVD 設備及其防污結構。防污結構包括反應器蓋和頂板，反應器蓋和頂板相對設置，頂板位於反應器蓋的下方，頂板的邊緣沿斜向外的方向設有防污外緣，防污外緣的頂部高於反應器蓋的下表面。本實用新型提供的防污結構，防污外緣能夠對 MO 源揮發後產生的污染物起到導流和阻擋作用，防止污染物進入反應器蓋和頂板之間對晶圓造成污染，解決了現有技術中 MOCVD 設備在進行多次連續的沉積運行後易對晶圓造成污染的缺陷，能夠防止 MO 源揮發至反應器蓋與頂板之間的間隙中掉落至晶圓表面，從而改善晶圓表面均勻性，防止在晶圓表面造成 Particle 風險。

本文源自：金融界

作者：情報員