英特爾徹底覺悟！積極採購設備「目標擊敗臺積電」：拒犯7年前錯誤

▲爲求能在晶片製程領先臺積電，英特爾決定不再重蹈7年前的覆轍。（圖左／路透、圖右／記者高兆麟攝）

記者羅翊宬／綜合報導

英特爾在美國加州聖荷西舉行的會議上宣佈，其購買的首批高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機已正式投入生產，預估可生產超過3萬片晶圓，展現穩定產能。該技術可大幅提高製造效率，並縮小製程節點，是英特爾重奪製程領先地位的重要策略，凸顯其不再重蹈7年前錯誤的決心。

根據外媒《PhoneArena》，英特爾過去因延遲導入EUV技術，導致遭到臺積電與三星超前。如今，英特爾積極採購High-NA EUV，顯示其決心不再犯7年前的錯誤。

英特爾資深首席工程師史蒂夫•卡森（Steve Carson）表示，High-NA EUV設備的可靠性是傳統EUV設備的兩倍，且相較於舊技術，能以更少的曝光次數完成製程，大幅降低時間與成本。該技術將應用於生產採用英特爾18A製程節點、首批產品爲代號Panther Lake的晶片，專供筆記型電腦使用。

史蒂夫•卡森透露，未來也計劃將運用該設備生產14A節點晶片，強化英特爾在晶圓代工市場的競爭力。

回顧過去，英特爾曾因花費7年時間才導入標準EUV技術，錯失市場先機。其10奈米制程也因依賴舊式設備而受阻，遭到臺積電與三星趁勢超越。如今，英特爾積極部署High-NA EUV，確保不再落後於競爭對手。

目前，英特爾計劃於2025年下半年量產18A製程，與臺積電及三星的2奈米制程同步。不過，英特爾將成爲首家採用背面供電技術（Power Via）的廠商，在短期內擁有技術優勢。業界關注，在這場晶片製程競賽中，英特爾是否能否憑藉High-NA EUV技術扳回一城，縮小與臺積電、三星的差距。