英特爾登高一呼 SiP成主打星

半導體龍頭英特爾在上週召開的架構日（Architecture Day）中發表名爲Foveros的全新3D封裝技術，首次採用3D晶片堆疊的系統級封裝（SiP），來實現邏輯對邏輯（logic-on-logic）的晶片異質整合。業界指出，英特爾登高一呼等於確定了未來SiP將是異質晶片整合主流，掌握SiP技術及產能的日月光投控（3711）將成爲最大受惠者。

英特爾在架構日中宣佈及展示了新一代中央處理器（CPU）微架構Sunny Cove，不僅可以提高一般運算任務的單一時脈效能和功耗效率，也包含加速人工智慧（AI）和加密等特殊用途運算任務的新功能。同時，英特爾也推出全新Gen 11整合式繪圖晶片。首款整合Sunny Cove微架構處理器及Gen 11繪圖處理器（GPU）核心的產品，將是明年底推出的10奈米制程Ice Lake處理器。

另外值得市場關注的焦點，則是英特爾發表名爲Foveros的全新3D封裝技術。英特爾Foveros是以3D堆疊的SiP爲主體，爲結合高效能、高密度、低功耗晶片製程技術的裝置和系統奠定了基礎。

Foveros預期可首度將3D晶片堆疊從傳統的被動矽中介層（passive interposer）和堆疊記憶體，擴展到CPU、GPU、AI等高效能邏輯運算晶片。

英特爾Foveros技術提供極大的彈性，因爲設計人員希望在新的裝置設計中「混搭」（mix and match）矽智財（IP）模組、各種記憶體和I/O元件，而這項3D封裝技術允許將產品分解成更小的「小晶片」（chiplet），其中I/O、SRAM、電源傳輸電路可以建入底層晶片（base die）當中，高效能邏輯晶片則堆疊於其上。

英特爾預計2019年下半年開始使用Foveros推出一系列產品。首款Foveros產品將結合高效能10奈米運算堆疊小晶片和低功耗22奈米22FFL製程的底層晶片。而這是繼英特爾在2018年推出突破性的嵌入式多晶片互連橋接（EMIB）2D封裝技術之後，Foveros將再次展現技術上的大幅躍升。

英特爾Foveros技術以3D堆疊的SiP封裝來進行異質晶片整合，也說明了SiP將成爲後摩爾定律時代重要的解決方案，晶片不再強調製程微縮，而是將不同製程晶片整合爲一顆SiP模組。

法人指出，在英特爾及臺積電等大廠力拱SiP技術下，未來如何導入量產成爲關鍵，掌握龐大SiP技術專利及產能的日月光投控，可望成爲未來SiP風潮下的最大受惠廠商。