英特磊IET-KY董事長暨總經理 高永中的藍海策略 不設限主攻磷化銦

小檔案 高永中

英特磊IET-KY董事長暨總經理高永中，當年不採三五族長晶主流的MOCVD磊晶技術，主攻MBE，是全球目前MBE領域唯二大廠，與英國大廠IQE分庭抗禮。主力材料也有別常見的砷化鎵（GaAs），以磷化銦（InP）闢出藍海。

23年前創業之初，「生存下來」是第一目標，高永中的策略是「不設限」，政府標案與民用並進，連機臺都能自制，他說「只要能利用MBE賺錢，都是公司走向」。

「隨大流的話，對新創公司競爭機會不大」英特磊之所以選擇MBE長晶，除了因高永中自攻讀博士到進入德州儀器都與MBE爲伍、經驗豐富外，另一重要原因是，當時臺、美MOCVD磊晶廠至少五到十家，價格競爭激烈，設廠美國的英特磊先天生產成本高，因而另闢蹊徑、選擇非主流的MBE，先攻「只有MBE能做」的材料及元件，如當年的磷化銦及後來的銻化鎵（GaSb）。

磷化銦成主力 目標在mmWave

MOCVD的生長速率與成本等，皆較MBE有優勢，產業化已臻成熟。而MBE則因成膜機理簡單、乾淨低污染，可進行多種即時分析測試，利於研究各種材料的生長過程及記錄，且因反應過程不需化學反應參與，因此可在較低溫下製備材料，適用於許多無法承受高溫的材料，挑戰磊晶技術瓶頸，亟具引領化合物半導體行業發展趨勢的潛力。

當各家以砷化鎵迎接5G世代來臨，高永中將營運主力放在磷化銦上，且市場商機鎖定在被稱爲「真5G」的「mmWave毫米波」。

目前全球5G技術以Sub-6 GHz爲主，對功率和線性度的要求上，砷化鎵PA（功率放大器）猶可勝任。然隨物聯網（IoT）、車聯網（IoV）等應用普及，要求更高傳輸速度，勢必要向前推進至mmWave，屆時，磷化銦挾高飽和電子漂移速度和電子遷移率，在超高頻下性能優異，能隙寬度與擊穿電場強度也較高，能滿足更高功率元件要求，高永中有信心，磷化銦將成爲真5G世代中的主流。

目前磷化銦成本高昂，尚未能普及，但高永中仍早市場好幾步相信磷化銦。他說「研發產品，並不是爲了今天」，將眼光放在3～5年、甚至10～20年的將來。如同高永中2002年就開發出堪稱全世界表現最好的PIN（光接收器），卻是直到2017年纔開始量產。

在三五族產業中，英特磊特有的銻化鎵，訂單多來自軍用，讓人誤以爲公司以國防爲主戰場。但事實上，英特磊最早的量產品是砷化鎵pHEMT，提供手機Switch之用，爲消費性電子市場，且拜2007～2012年美國大客戶所賜，在當年全球手機市場滲透率，曾高達一半以上。

主攻利基型市場 通吃國防、民用訂單

高永中認爲，只有不停地創新與優化產品，才能保證公司長久的生存和成長，因此，英特磊在MBE方面技術含量深，也不斷地發展新技術與產品。

因公司規模小，高永中轉而主攻「利基型」市場。透過政府標案與民用訂單雙管齊下，鞏固國防市場營收來源，同時開拓磷化銦等新材料的發揮舞臺。

除了未來的「真5G」手機PA外，磷化銦現有產品已應用於高頻光纖網路、高頻量測儀器元件、資料中心以及5G基礎建設等市場，此外也正投入研發氮化鎵。

高永中說，市場不以國防爲限，而是與民用並進；在產品策略，則是追求高端、高毛利，靜待真5G世代的來臨，磷化銦將大有可爲。