浙江馳拓科技申請合成反鐵磁結構、MTJ和MRAM專利，解決現有技術中SAF的交換耦合磁場弱，影響PMA的問題

金融界2024年10月30日消息，國家知識產權局信息顯示，浙江馳拓科技有限公司申請一項名爲“合成反鐵磁結構、MTJ和MRAM”的專利，公開號CN 118829347 A，申請日期爲2023年4月。

專利摘要顯示，本申請提供了一種合成反鐵磁結構、MTJ和MRAM，該合成反鐵磁結構包括：第一鐵磁層；第一隔離層，位於第一鐵磁層的表面上；第二鐵磁層，位於第一隔離層的遠離第一鐵磁層的表面上，第一鐵磁層以及第二鐵磁層用於反鐵磁耦合，第一鐵磁層以及第二鐵磁層中至少之一包括多層膜結構，多層膜結構爲[Co/X/Y]n，其中，X爲第一金屬膜層，Y爲第二金屬膜層，n爲不小於1的整數，第一金屬膜層用於在環境溫度小於或者等於400℃的情況下，阻擋第二金屬膜層的原子擴散。本申請解決了現有技術中SAF的交換耦合磁場弱，影響PMA的問題。

本文源自：金融界

作者：情報員