浙江最成申請濺射靶專利，具有較好的成膜特性

金融界2024年11月30日消息，國家知識產權局信息顯示，浙江最成半導體科技有限公司申請一項名爲“種濺射靶其製備方法及種半導體芯片”的專利，公開號CN 119040830 A，申請日期爲2024年8月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種濺射靶及其製備方法，所述濺射靶爲鈷材濺射靶，所述濺射靶中鈷的含量大於99.9wt％，所述濺射靶中hcp晶體結構的體積佔比超過95％，並且所述濺射靶中hcp晶體結構的不同晶面的X射線衍射峰強度符合下式關係：(002)/{(101)+(102)+(103)+(112)+(004)+(002)}>0.75，其中，所述濺射靶的濺射面爲X射線衍射的測量平面。本申請的濺射靶具有均勻的排列和高透磁率，具有較好的成膜特性。

本文源自：金融界

作者：情報員