寧波石墨烯創新中心申請外延製備工藝專利，有效提高氮化物外延片的耐壓

金融界 2024 年 11 月 11 日消息，國家知識產權局信息顯示，寧波石墨烯創新中心有限公司申請一項名爲“一種外延製備工藝”的專利，公開號 CN 118919398 A，申請日期爲 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，本發明提供一種外延製備工藝，至少用於製備硅襯底氮化物半導體外延，硅襯底氮化物半導體外延片的結構至少包括：硅襯底，以及形成於硅襯底上的過渡層，將硅襯底與過渡層界面處的硅材料氧化或者氮化以形成絕緣介質層該介質層的厚度可以通過氧化或者氮化工藝調節。通過將外延與襯底界面處的硅材料轉變爲絕緣二氧化硅或者氮化硅材料，將襯底 Si 的一部分厚度轉變爲高耐壓的絕緣介質層材料，可以有效提高氮化物外延片的耐壓，並降低對外延層厚度的要求因而降低生長技術難度，可以同時減少外延生長時間，提高外延參數均勻性，從而提高外延片和芯片的良率。

本文源自：金融界

作者：情報員