華爲陣營再添盟友！歐美企業“不敢碰”的難題，濟南小廠5年突破

自從前段時間華爲創始人任正非謙虛地表示“未來3年，華爲以活着爲目標”後，我們發現，如今華爲的動作鮮有以往的“大張旗鼓”了。

根據天眼查數據顯示，今年8月中旬，華爲旗下哈勃投資入股了僅成立12年的濟南“小廠”——晶正電子，在光通信單晶薄膜這一細分領域落下了一子。此次入股，華爲“認繳”金額爲138.19萬元，具體真實投資金額不得而知。

很多人會好奇，100多萬的投資能有什麼大生意？小小的晶正電子，憑什麼獲得華爲的青睞？

要了解晶正電子有何魅力，我們要從光通信領域說起。

一、“光子學革命”在即，鈮酸鋰異軍突起

所謂“光通信”，就是以光信號爲信息流通載體的新型通信方式。

和傳統通信的無線電波相比，光波由於其波長短、頻率高的物理特性，使光通信具備傳輸損耗更低、傳輸帶寬更大、信息保真度高等諸多優點。不過，與之相對於的是光通信對配套設備的苛刻要求。

經歷過早期撥號寬帶的人都知道，當年的電腦聯網直接用家裡的電話線就可以。但今天的光通信，則需要搭配一整套獨立的設施設備。完整的光通信產業鏈，由上游的光芯片、高能陶瓷、轉化器，中游的光功能模塊和下游數據中心、通信設備商、服務商共同構成。

而單晶薄膜，正是製備多種光芯片、信息存儲用器件的基礎原材料之一，其中，晶正電子生產的鈮酸鋰單晶薄膜，更是被業內譽爲光通信設備的最理想選擇。

二、鈮酸鋰：單晶薄膜“中流砥柱”

那麼，和單晶硅、單晶二氧化釩等主流芯片材料相比，晶正電子的鈮酸鋰又有哪些優勢呢？

1、居里溫度最高

鈮酸鋰，是由鈮、鋰、氧三種元素構成的負性晶體化合物。僅從化學角度看，在已發現的特殊電極材料中，鈮酸鋰的居里溫度最高，可達1210 ℃。

所謂的居里溫度，特指某種化合物磁性消失的溫度節點。衆所周知，電磁效應的存在，是芯片發揮半導體功能的技術前提。因此，居里溫度越高，化合物的磁性表現越穩定。鈮酸鋰的居里溫度屬性決定了，它確實當得起單晶薄膜“中流砥柱”的稱號。

2、光電性能卓越

由超高的居里溫度衍生而來，鈮酸鋰單晶薄膜的兩大特性，使其成爲光通信核心器件的最佳材料選擇：

首先是繁多的光電效應，一件鈮酸鋰晶體，同時具備了壓電效應、光彈效應、光折變效應、非線性光學效應、光聲伏打效應等多種光電性能；其次，通過對鈮酸鋰晶體的畸變加工，其多種光電性能的表現程度，也能實現精準調控。

總之，經由鈮酸鋰晶體加工而來的單晶薄膜，chirp效應極低，光消比、穩定性表現卓越，在超遠距離通信中，具有任何其他材料無法替代的天然優勢。

不過長期以來，有關鈮酸鋰單晶薄膜的研究，一直被業內視爲“不可觸碰”的冷門技術領域，因爲連樂於“技術壟斷”的歐美企業，也沒能攻克這一難題。

三、濟南小廠迎難而上，填補行業空白

早在1964年，美國貝爾實驗室就開始了對鈮酸鋰半導體特性的研究。此後十餘年間，歐美科研團隊多點開花，先後確立了鈮酸鋰在鐵電、順電相下的晶格結構，在材料成長工藝方面也取得重要突破，但唯獨在鈮酸鋰單晶薄膜的製造上，陷入瓶頸。

上世紀80年代，由劍橋、耶魯、哈佛等多所西方名校的科研機構，牽頭髮起了對鈮酸鋰單晶薄膜工藝的集中攻關，然而幾年研究下來，只爲相關行業帶來一句“現階段不可行”的實驗結論。從此，西方企業在鈮酸鋰的技術課題上，進入了躺平模式。

2010年，海歸博士胡文、胡卉兄弟倆受“5150引才計劃”感召回國，在濟南當地的幫助下成立晶正電子。他們創業的目的很簡單，就是要在鈮酸鋰單晶薄膜工藝上，蹚出一條路來。

從2010年到2015年，兄弟倆率領旗下技術團隊，在“早起晚歸，一週僅休息半天”的工作強度下，堅持研發實驗。一種技術路線不可行，就換另一種，多條路線都存在問題，就直接研究對技術的改進。

在經歷上萬次實驗後，最終通過離子注入、直接鍵合等技術的組合運用，率先研發出納米級鈮酸鋰單晶薄膜。在晶正電子的加工工藝下，0.5毫米厚度的鈮酸鋰單晶，可以平行切割出1000片薄膜晶片。時至今日，晶正電子在鈮酸鋰薄膜製造工藝上，已累積專利100餘項， 還打造出全球首個鈮酸鋰薄膜製造基地。

在外企走不通的技術領域，胡文、胡卉倆兄弟的晶正電子，走通了！

四、結語

一如華爲利用“極化碼”，帶領全球步入了5G時代。而晶正電子的鈮酸鋰單晶薄膜，也爲國產光通信時代的到來，打下了堅實的地基。

此次華爲主動聯合晶正電子，是國內兩個行業領軍企業的的強強聯合，更是在國外先進技術、硬件封鎖的背景下，執着於研發的民族企業之間的“英雄惜英雄”。