Jefferies：ASML估臺積電今年將取得首臺High-NA EUV

Jefferies分析師預計，臺積電2028年量產A14製程晶片時，料將導入High-NA EUV技術。美聯社

彭博資訊報導，Jefferies分析師說，艾司摩爾（ASML）預計臺積電將在今年取得其首臺高數值孔徑（High-NA）測試系統，臺積2028年量產A14製程晶片時，料將採用這項技術。

包含梅農在內的Jefferies分析師援引ASML財務長達森的說法表示，臺積電是ASML-IMEC高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）實驗室的積極參與者，「ASML預計臺積電最終會使用High-NA EU，正密切與這個客戶在這項技術上合作」。

這些分析師說，ASML仍維持該公司2025年營收可能在其財測區間上半的看法。

目前ASML面臨的競爭，確切來說只有佳能（Canon）的i-line和KrF系統。中國的上海微電子，遠未達到推出KrF或浸沒式系統的地步，而上海微電子正在出貨一些i-line系統，但「買這些系統的客戶可以向ASML和佳能買的話，就比較傾向這麼做」。