技術突破！SK海力士首發第六代10納米DRAM芯片

財聯社8月29日訊（編輯 周子意）全球第二大存儲芯片製造商SK海力士週四（8月29日）表示，已開發出業界首款第六代10納米級動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片，該芯片的功耗比舊型號更低、能效則更高。

SK海力士在一份聲明中表示，這款DRAM芯片名爲1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10納米工藝。

據介紹，此次1c 16Gb DDR5芯片將主要用於高性能數據中心，其運行速度爲8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%；此外該芯片還比前一代的能效提高了9%以上。

該公司還表示，在當前人工智能蓬勃發展的時期，這可以幫助數據中心減少多達30%的電力成本。

此次的1c工藝是以1β工藝爲基礎，1β工藝就是上一代DRAM芯片採用的第五代10納米技術，其以最佳性能的DRAM而廣受讚譽的。爲了減少在推進過程中產生的潛在錯誤，並以最有效的方式轉移1β的優勢，該公司擴展了1β的DRAM平臺以開發1c。

公司聲明中寫道，“公司以第五代（1β）技術力爲基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。”

DRAM開發部門負責人Kim Jonghwan表示，“1c工藝技術兼備着最高性能和成本競爭力，公司將其應用於新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進DRAM主力產品羣，由此爲客戶提供差別化的價值。”