丟掉AI芯片大單急了！三星被曝將引入SK海力士的技術

芯東西（公衆號：aichip001）編譯 ZeR0編輯 漠影

芯東西3月13日消息，據外媒援引知情人士消息，爲了在高端AI芯片競賽中急追猛趕，三星存儲芯片緊急踩剎車，準備使用SK海力士所領導的高端芯片封裝工藝技術。

生成式AI對高帶寬內存（HBM）芯片的需求激增，但當SK海力士、美光科技被曝拿下英偉達高額訂單時，三星卻意外在交易中缺席。

分析人士和業內觀察人士認爲，三星電子落後的原因之一是，它決定堅持使用會導致一些生產問題的非導電薄膜（NCF）芯片技術，而SK海力士轉向高端封裝工藝MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）方法來解決NCF的缺陷。

不過據三名直接知情人士透露，三星最近已經下單採購用於MUF技術的芯片製造設備。

“三星必須採取措施提高HBM（生產）產量……對三星來說，採用MUF技術是一件有點忍辱負重的事情，因爲它最終採用了SK海力士最初就使用的技術。”一位消息人士說。

幾位分析師稱，三星HBM3芯片的產率約爲10-20%，而SK海力士HBM3的產率約爲60-70%。

HBM3和HBM3E是最新版本的HBM芯片，需求旺盛，能幫助處理生成式AI的大量數據。

三星還在與日本Nagase等材料製造商進行談判。一位消息人士稱，使用MUF大規模生產高端芯片最早要到明年才能準備就緒，因爲三星需要進行更多測試。

三位消息人士還透露說，三星計劃在其最新的HBM芯片中同時使用NCF和MUF技術。

三星表示，內部開發的NCF技術是HBM產品的“最佳解決方案”，將用於新的HBM3E芯片。該公司在一份聲明中寫道：“我們正在按計劃開展HBM3E產品業務。”

三星使用MUF的計劃凸顯了它在AI芯片競爭中面臨越來越大的壓力。根據研究公司TrendForce的數據，在AI相關需求的推動下，HBM芯片市場今年將增長1倍以上，達到近90億美元。

非導電薄膜芯片製造技術已被芯片製造商廣泛用於在緊湊的高帶寬存儲芯片組中堆疊多層芯片，因爲使用熱壓縮薄膜有助於減少堆疊芯片之間的空間。但隨着層數增加，製造變得複雜，粘合材料也經常出現問題。三星稱其最新的HBM3E芯片有12個芯片層。芯片製造商一直在尋找解決這些弱點的替代方案。

SK海力士率先成功轉向MR-MUF技術，成爲第一家向英偉達提供HBM3芯片的供應商。KB Securities分析師Jeff Kim估計，SK海力士今年在爲英偉達提供的HBM3及更先進的HBM產品中所佔的市場份額將超過80%。

美光上個月加入HBM競爭，宣佈其最新HBM3E芯片將被英偉達採用，爲將於第二季度開始發貨的英偉達H200芯片提供動力。

據多位消息人士透露，三星HBM3系列尚未通過英偉達的供貨資格。

三星在AI芯片競賽中的挫折已被投資者注意到，其股價今年下跌了7%，SK海力士和美光的股價則分別上漲了17%和14%。