晶圓代工先進製程 步入電晶體結構轉換期

圖／路透

純晶圓代工廠製程由16nm開始從平面式電晶體結構（Planar Transistor）進入FinFET世代，發展至7nm製程導入EUV微影技術後，FinFET結構自3nm開始面臨物理極限。先進製程兩大龍頭自此出現分歧，臺積電延續FinFET結構於2022下半年量產3nm產品，預計2023上半年正式產出問世，並逐季提升量產規模，2023年產品包含PC CPU及智慧型手機SoC等。而三星由3nm開始導入基於GAAFET的MBCFET架構（Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor），於2022年正式量產，初代產品爲加密貨幣挖礦晶片，2023年將致力於第二代3nm製程，目標量產智慧型手機SoC。兩者3nm量產初期皆仍集中在對提高效能、降低功耗、縮小晶片面積等有較高要求的高效能運算和智慧型手機平臺。