林本堅:浸沒式DUV可以做到5nm,但成本將非常高!

11月27日消息,據臺媒DigiTimes報道,近日有着“浸潤式光刻之父”之稱的林本堅(Burn Lin)在接受採訪時表示,依靠DUV光刻機繼續將製程工藝從7nm推向5nm是可能,但是需要付出高昂的代價。

報道稱,由於美日荷對華半導體設備的限制,使得中國不僅難以獲得可以製造先進製程的半導體設備,同時更爲先進的EUV光刻機也無法獲得。這也使得中國繼續將制裁工藝推進到5nm將會面臨困境。

不過,林本堅表示,依託現有的DUV光刻機(浸沒式)製造出5nm芯片依然是可行的,但是至少需要進行四重曝光。不幸的是,這種工藝的缺點是不僅耗時,而且價格昂貴,還會影響整體良率。

特別是在使用 DUV 機器時,在多次曝光期間需要精確對準,這可能需要時間,並且有可能發生未對準的情況,從而導致產量降低和製造這些晶圓的時間大幅增加。

林本堅表示,浸沒式DUV光刻技術最高可以實現六重光刻模式,可以實現更先進的工藝,但問題同樣來自上述相關缺點。

編輯:芯智訊-林子