DUV光刻機從7nm再衝5nm？浸潤光刻之父：行！但成本極高

臺積電前研發副總林本堅表示，依靠DUV光刻機可以繼續將製程工藝從7nm再推向5nm，但是代價非常高昂。（圖／ASML）

近日有着「浸潤式光刻之父」之稱的臺積電前研發副總林本堅（Burn Lin）受訪時表示，依靠荷蘭艾斯摩（ASML）的DUV光刻機，可以繼續將製程工藝從7nm再推向5nm，但是需要付出非常高昂的代價。

據《芯智訊》報導說，由於美日荷對華半導體設備的限制，使得中國不僅難以獲得可以先進製程的半導體設備，更爲先進的EUV光刻機也無法獲得。這使得中國繼續將製程工藝推進到5nm的過程中，會面臨技術與設備困境。

林本堅表示，現有的DUV光刻機制造出5nm晶片依然可行，但是至少要進行4重曝光。它的缺點是耗時且價格昂貴，還會影響整體良率。（圖／芯智訊）

不過，林本堅表示，依靠現有的DUV光刻機（浸潤式）製造出5nm晶片依然是可行的，但是至少需要進行4重曝光。不幸的是，這種工藝的缺點是不僅耗時，而且價格昂貴，還會影響整體良率。

他表示，特別是在使用 DUV 光刻機時，在多次曝光期間需要精確對準，這可能需要較多時間，並且有可能發生未對準的情況，從而導致產量降低，或是製造這些晶圓的時間大幅增加。

林本堅表示，浸沒式DUV光刻技術最高可以實現6重光刻模式，可以實現更先進的工藝，但問題同樣來自上述相關缺點。