南京鐳芯光電取得增加芯粒良率的雙共振腔選擇性出光DFB結構專利，提升芯粒良率

金融界2024年11月8日消息，國家知識產權局信息顯示，南京鐳芯光電有限公司取得一項名爲“一種增加芯粒良率的雙共振腔選擇性出光DFB結構”的專利，授權公告號CN 221961385 U，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種增加芯粒良率的雙共振腔選擇性出光DFB結構，涉及分佈式反饋激光器領域，包括芯粒，芯粒由第一金屬接面層、P‑InGaAs層、主動層、p‑InP層、第一n‑InP層、第二n‑InP層、第二金屬接面層組成；芯粒內部設置有若干共振腔，共振腔的外側設置有雙埋入式異質結構平臺。本實用新型爲兩個共振腔，讓光子可分別在兩個獨立不同的共振腔內來回震盪，可提升芯粒良率，進而優於市場價格，提高產能，降低成本。

本文源自：金融界

作者：情報員