日媒：中國半導體水準　僅落後臺積電3年

▲日本半導體調查企業：中國晶片技術僅落後臺積電3年水準。（圖／達志影像／美聯社）

文 / 中央社

日媒報導，日本半導體調查企業TechanaLye社長清水洋治表示，經過分析，儘管良率上仍存有差異，但是中國晶片的技術實力，目前僅落後臺積電3年的水準。

日經中文網今天報導，清水洋治是在比較臺積電2021年量產的5奈米「KIRIN 9000」，以及2024年中芯國際量產的7奈米「KIRIN 9010」後，作出上述結論。根據報導，二者的處理性能已基本相同。

「KIRIN 9010」是由華爲旗下的海思半導體設計，由中國半導體廠中芯國際負責量產，這一處理器在今年4月上市的華爲最新款智慧手機Pura 70 Pro上使用；而2021年的應用處理器「KIRIN 9000」是由海思半導體設計，臺積電負責量產。

報導指出，美國政府對中國華爲啓動的出口禁令已有5年，美方一直在採取遏制中國晶片技術的措施，但是成效至今少有討論。

美國政府的警惕對象中芯國際，採用的是線路線寬爲7奈米的技術；而臺積電當時採用5奈米的量產製程，向華爲供應處理器。

一般來說，如果線路線寬變窄，半導體的處理性能就會提高，半導體面積則會變小。據報導，中芯國際以7奈米量產的晶片面積爲118.4平方毫米，臺積電的5奈米晶片則爲107.8平方毫米，面積沒有太大差異，處理性能也基本相同。

報導指出，雖然二者在良率上存在差距，但從出貨的半導體晶片的性能來看，中芯國際的實力已追趕到比臺積電落後3年。雖然線路線寬爲7奈米，但可以發揮與臺積電的5奈米相同的性能，因此可分析出海思半導體的設計能力也進一步提高。

華爲的Pura 70 Pro除了存儲晶片和傳感器之外，還搭載了支撐鏡頭、電源、顯示器功能的共37個半導體。

其中，海思半導體承擔14個，其他中國企業承擔18個，從中國以外的晶片來看，只有韓國SK海力士（SK Hynix）的DRAM、德國博世（Bosch）的運動傳感器等5個。實際上，86%的半導體產自中國。

清水洋治分析華爲最新款智慧型手機，得出的結論是，「到目前爲止，美國政府的管制只是略微減慢了中國的技術創新，但推動了中國半導體產業的自主生產」。

根據半導體行業團體SEMI數據顯示，從2023年製造設備的各地區銷售比重來看，中國佔34.4%，且購買了韓國和臺灣約2倍的設備。

報導指出，雖然最尖端半導體制造設備的出口管制備受關注，但實際情況是，中國不斷採購管制對象外的設備，穩步磨練量產技術。