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三星衝HBM 暗示攜手臺積…尋求高頻寬記憶體領域合作

三星釋出上季半導體業績不如市場預期，調降其晶圓代工資本支出等訊息，並暗示可能與臺積電在高頻寬記憶體協調合作。（美聯社）

南韓科技巨頭三星昨（31）日舉行財報會議，釋出上季半導體業績不如市場預期，調降其晶圓代工資本支出等訊息，僅AI相關市場發展與公司佈局讓市場驚豔，三星並暗示可能與臺積電（2330）在高頻寬記憶體（HBM）協調合作，以滿足多家客戶不同需求。

法人指出，目前臺積電高頻寬記憶體最主要合作伙伴爲另一家韓國記憶體大廠SK海力士，若三星也加入相關合作，對臺積電衝刺AI等高速運算事業將有正面助益，持續帶旺臺積電營運。

三星昨天公佈上季整體營業利益比去年同期激增277.4%至9.2兆韓元（66.6億美元），略高於本月初初估的9.1兆韓元，營收也成長17.3%至創紀錄的79.09兆韓元。不過，上季晶片部門營業利益季比下滑40.2%、降至3.86兆韓元（28億美元），營收季增3%至29.27兆韓元，皆低於預期。

三星表示，已從高頻寬記憶體、DDR5及伺服器儲存產品獲得「龐大營收成長」。預期本季半導體事業表現將好轉，儘管行動和PC記憶體晶片需求可能疲軟，AI成長將維持需求在熱絡水準，預測消費電子產品市況仍將相當平淡，AI和資料中心需求將維持強勁，伺服器記憶體產品需求到明年都將「強勁且穩定」，包括AI和傳統伺服器。

三星記憶體事業主管金在俊表示，將彈性減產部分傳統DRAM和NAND晶片到符合市場需求的水準，以加速轉換到先進製程節點。

三星預定下半年開發並量產HBM4，明年記憶體部門將聚焦於高頻寬記憶體和伺服器固態硬碟（SSD），暗示可能和臺積電協調合作，以滿足多家高頻寬記憶體客戶的不同需求。

三星主管也暗示，HBM3E晶片在贏得輝達（NVIDIA）認證方面「大有進展」，預期第4季將向客戶銷售。

三星併發布新聞稿指出，預料在AI PC和AI應用帶動下，明年整體晶圓代工市場將雙位數成長，但該公司未提供其晶圓代工事業的成長預估。

三星在新聞稿提到，晶圓代工業務明年寄望成功的2奈米量產來確保主要客戶。此外，整合先進的製程節點和先進封裝解決方案以進一步開發HBM Buffer die（緩衝裸晶）有助獲得人工智慧和高速運算（HPC）新客戶。

三星提到，今年資本支出將比去年略增3.6兆韓元、達56.7兆韓元，晶片資本支出預料爲47.9兆韓元（347億美元），略低於去年，主要是縮減今年晶圓代工資本支出，集中於現有產線的技術轉變。今年記憶體資本支出則將與去年相同，優先投入高頻寬記憶體和DDR5等高附加價值產品。

相較下，臺積電今年資本支出將略高於300億美元。彭博資訊指出，三星今年資本支出只略高於臺積電，引人懷疑如何同時在高頻寬記憶體趕上SK海力士、在晶圓代工追趕臺積電。

三星衝HBM 暗示攜手臺積…尋求高頻寬記憶體領域合作

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