三星電子HBM芯片據悉尚未通過英偉達測試，涉及發熱和功耗問題

5月23日消息，知情人士稱，由於發熱和功耗問題，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達的測試，無法用於後者的人工智能處理器。據悉，這些問題涉及三星電子的HBM和HBM3E產品。

三星電子在一份聲明中表示，HBM是一種定製的內存產品，需要根據客戶的需求進行優化，“我們正通過與客戶的密切合作優化產品”。該公司拒絕就具體客戶發表評論。（路透）