【特稿】英媒稱三星最新HBM芯片尚未通過英偉達檢測

英媒稱三星最新HBM芯片尚未通過英偉達檢測　　　　卜曉明　　路透社23日報道，韓國三星電子公司最新高帶寬存儲(HBM)芯片尚未通過美國英偉達公司針對人工智能處理器的檢測，主要問題關聯芯片發熱和能耗。三星電子則稱，所謂芯片因發熱和能耗問題未能過檢說法“不實”。　　路透社援引三名知情人士的話報道，發熱和能耗問題影響三星電子HBM3芯片和HBM3E芯片通過英偉達檢測。這也是三星電子芯片未能通過英偉達檢測原因首次遭曝光。三星電子一直試圖推動上述兩款芯片通過英偉達檢測。　　暫不清楚相關問題能否輕易解決。HBM3芯片使用第四代HBM標準，相關標準主要適用於人工智能圖形處理器。HBM3E芯片使用第五代HBM標準，預計今年進入市場。三星電子打算今年第二季度開始量產HBM3E芯片。　　路透社引述三名知情人士說法報道，芯片未能達到英偉達要求，已在業內和投資圈引發擔憂。　　不過，三星電子24日發表聲明稱，所謂芯片因發熱和能耗問題尚未通過檢測的說法“不實”，“檢測正順利、按計劃推進”。　　美國消費者新聞與商業頻道21日報道，在HBM芯片領域保持領先的韓國SK海力士公司一直是英偉達HBM3芯片唯一供應商，而英偉達考慮把三星電子也列爲供應商。　　路透社23日援引分析師的話報道，SK海力士2013年最先研發出HBM芯片，過去十年間在相關研發領域投入的時間和資源遠超三星電子。　　爲扭轉企業去年因半導體市場行情惡化出現的逆差，三星電子21日宣佈，任命未來事業規劃團團長全永鉉爲數字解決方案部門負責人。　　韓國總統尹錫悅23日宣佈，將斥資26萬億韓元（約合1380.6億元人民幣），用於扶持韓國芯片產業。韓聯社報道，上述扶持方案包括向芯片製造商、原料供應商和芯片設計企業在融資、研發和基礎設施方面提供支持。（完）（新華社專特稿）