深受資本青睞：技術創新與產能擴張，英諾賽科積累盈利潛力

隨着全球對高效能、低能耗半導體技術需求的不斷增長，英諾賽科憑藉其在氮化鎵功率半導體領域的領先地位，正迎來前所未有的發展機遇。

在新能源汽車、可再生能源等高速增長的市場需求推動下，英諾賽科不僅實現了產能的大幅提升，更在技術創新和產品應用上不斷突破。隨着英諾賽科日前正式向港股IPO發起衝刺，資本市場助推下，英諾賽科在可預見的未來將實現業務的持續增長和盈利能力的顯著提升。

營收持續增長，虧損逐年改善

自成立以來，英諾賽科始終走在全球功率半導體革命的前沿，致力於推動氮化鎵技術的創新與應用。作爲行業先鋒，英諾賽科近年業績持續伴隨行業快速發展。

招股書顯示，英諾賽科氮化鎵產品在各應用領域獲得客戶的認可，營業收入實現強勁增長。具體來看，英諾賽科營收由2021年的6800萬元（人民幣，下同）增加99.7%至2022年的1.36億元，並進一步增加335.2%至2023年的5.92億元。

利潤方面，英諾賽科2023年經調整淨虧損約爲10.16億元，相比2021年虧損程度大大減低。值得注意的是，最近三年（2021年至2023年）英諾賽科經調整淨虧損合計約33億元，這主要是由於英諾賽科上市前多輪股權融資導致的股權公允價值變動，以及給予員工的股權激勵支付所致。

成立至今，英諾賽科已獲得招銀國際、吳江產投、SK中國、華業天成、鈦信資本、武漢高科、珠海高新投、中天匯富、中國平安、國民創投、毅達資本等機構的多輪融資。由此2021年至2023年，英諾賽科向投資者發行的金融工具公允價值變動導致有關財務成本合計達32億元。另外，英諾賽科接受員工提供服務作爲權益工具代價的安排，這通常可以被視爲股權激勵的一種形式，該部分開支最近三年（2021年至2023年）合計也達1.37億元。

綜合來看，英諾賽科的業務增長勢頭強勁，業務虧損範圍逐漸收窄。在市場人士看來，這既反映英諾賽科前期大量製造和研發轉向大規模生產，資本性支出帶來的虧損減輕；也顯示英諾賽科轉向大規模製造，這意味着公司進入市場正向回報階段，盈利能力提升。此外，在營收規模大幅增長的情況下虧損減少，這也反映出英諾賽科強有力的成本控制能力。

爭奪技術高地，市佔率穩居龍頭

分析招股書可知，英諾賽科近年虧損主要由於研發投入、市場擴張和生產規模擴大導致的初期成本，而技術創新正是英諾賽科的核心競爭力。

英諾賽科爲氮化鎵產品及技術研發投入了大量資源。2021年至2023年，英諾賽科研發投入分別達6.62億元、5.81億元和3.49億元。同時，英諾賽科在中國蘇州建立全球研發中心，將其定位爲第三代半導體材料及芯片的領先研發中心。目前，英諾賽科在全球範圍內已擁有約700項專利及專利申請，涵蓋芯片設計、器件架構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等多個關鍵領域。

人才儲備上，英諾賽科擁有一支由397名專業人才組成的強大研發團隊，其中多數成員均爲半導體行業資深人士。同時，英諾賽科佈局國際研發資源，在歐洲、北美及亞洲建立研發團隊，專注於產品設計、研發及可靠性評估。

憑藉強大的技術創新實力及領先的量產能力，英諾賽科已成爲氮化鎵功率半導體產品的全球領導者。按氮化鎵分立器件出貨量統計，英諾賽科2023年在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市佔率達42.4%。

產能釋放疊加市場增長，盈利在望

隨着國內新能源汽車、風電、光伏等優勢產業的興起，氮化鎵功率半導體迎來巨大的市場機遇。據權威機構預測，氮化鎵功率半導體行業規模預期將進一步按98.5%複合年增長率加速增長，由2024年的32.28億元增長至2028年的501.42億元。其中，消費電子、可再生能源、新能源汽車和數據中心等細分市場均展現出良好的增長潛力。

配合強勁的市場需求，英諾賽科早已啓動產能佈局。招股書顯示，目前英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能爲每月1萬片，同時，晶圓良率超過95%。此外，英諾賽科是全球首家率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓的批量生產商，並於2023年擁有全球最大的氮化鎵功率半導體產能、出貨量及收入。

本次IPO，英諾賽科的募資計劃也聚焦產能擴充。一方面，英諾賽科擬將50%的募資資金用於擴大8英寸氮化鎵晶圓產能，計劃從截至2023年12月31日的每月1萬片晶圓擴大至未來5年每月7萬片晶圓。另一方面，英諾賽科擬將15%的募資資金用於研發和擴大氮化鎵產品組合，進一步提高終端市場中氮化鎵產品的滲透率。

通過與消費電子、汽車、可再生能源等行業知名企業的深度合作，英諾賽科正在不斷拓展氮化鎵產品的應用邊界。英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵晶圓，相比傳統6英寸晶圓，晶粒產出提升80%，成本降低30%，體現了其在成本控制與生產效率上的絕對優勢。隨着產能釋放和市場需求增長，在可預見的未來，英諾賽科將逐步達成實現盈利的目標。