臺積電太大意了？英特爾搶下ASML最強機臺 分析師預言驚人結果

英特爾在美國政府全力奧援下，重啓晶圓代工事業。（示意圖/達志影像/shutterstock）

美廠英特爾衝刺晶圓代工事業，目前已成爲荷蘭艾司摩爾（ASML）首臺最新型「High-NA EUV」（高數值孔徑極紫外光微影系統）的買家，預計2025年以這款設備生產先進製程晶片，臺積電則按兵不動。分析師預計臺積電可能要到2030年後纔會採用這項技術，屆時臺積電如何保持製程技術領先地位，引發關注。

根據《Tom's Hardware》報導，英特爾已收到ASML第一臺最新型高數值孔徑EUV光刻機，英特爾在接下來幾年，打算將此係統部署到18A後的節點（即1.8奈米制程），相比之下，臺積電並不急於在短期內採用高數值孔徑EUV，大陸華興資本董事總經理吳思浩（SzeHo Ng）說，臺積電可能需要數年時間才能在2030年或以後趕上這一潮流。

SemiAnalysis和華興資本分析師指出，臺積電暫時不會跟進採用這項技術，主因在於，使用高數值孔徑EUV的成本，可能比使用Low-NAEUV還高，至少在初期是這樣，儘管低成本的代價是生產複雜性和可能較低的晶體管密度。

報導提到，臺積電2019年開始使用極紫外線 (EUV) 光刻工具大量生產晶片，比三星晚幾個月，但比英特爾早幾年，推測英特爾想透過高數值孔徑EUV，領先於三星代工和臺積電，這可以確保一些戰術和戰略利益。唯一的問題是，如果臺積電在2030年或以後（即比英特爾晚四到五年），纔開始採用高數值孔徑光刻技術，是否還能維持製程技術的領先地位？

根據ASML介紹，最新型高數值孔徑EUV光刻機的造價成本超過3億美元，可以滿足一線晶片製造商的需求，在未來十年內能夠製造出更小、更好的晶片。